特許
J-GLOBAL ID：201203013532359150

半導体装置

発明者：
遠藤 佑太

遠藤 佑太 について

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佐々木 俊成

佐々木 俊成 について

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野田 耕生

野田 耕生 について

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佐藤 瑞穂

佐藤 瑞穂 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-110446
公開番号（公開出願番号）：特開2012-009835
出願日： 2011年05月17日
公開日（公表日）： 2012年01月12日
要約：
【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタにおいて、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することを課題とする。【解決手段】酸化物半導体層のバックチャネル側に有る絶縁層の容量を1.5×10-10F/m2以下とする。例えばトップゲート構造のトランジスタの場合、下地絶縁層の容量を1.5×10-10F/m2以下とすることにより、基板と下地絶縁層の界面準位の影響を低減することができ、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、 ゲート電極と、 酸化物半導体層と、 前記酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極及びドレイン電極と、 前記ゲート電極と前記酸化物半導体層の間に形成されるゲート絶縁層と、 前記酸化物半導体層を介して、前記ゲート絶縁層と対向し、かつ前記酸化物半導体層に接する絶縁層と、を有し、 前記絶縁層は、容量換算で、単位面積当たりの容量が2×10-4F/m2以下となる厚さを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (3件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 616L
Fターム (57件)：
5F110AA06 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC02 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD21 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ18 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN36 ,  5F110QQ11
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (8件)
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