特許
J-GLOBAL ID：200903093584148580

薄膜トランジスタ搭載パネル及びその製造方法

発明者：
中川 未浩

中川 未浩 について

, 
市村 公二

市村 公二 について


出願人/特許権者：
大日本印刷株式会社

大日本印刷株式会社 について


代理人 (1件)： 吉村 俊一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-144914
公開番号（公開出願番号）：特開2006-324368
出願日： 2005年05月18日
公開日（公表日）： 2006年11月30日
要約：
【課題】 TFT製造工程中に加わる各種の熱履歴によっても、プラスチック基板上に形成された薄膜トランジスタがそのプラスチック基板とバッファ層との界面剥離に基づいて剥離することのない薄膜トランジスタ搭載パネルを提供する。【解決手段】 プラスチック基板10上にバッファ層12を介してポリシリコン薄膜13が形成されてなる薄膜トランジスタ搭載パネルにおいて、プラスチック基板10とバッファ層12との間に無機密着層11を形成する。無機密着層11は、クロム、チタン、アルミニウム、シリコン、酸化クロム、酸化チタン、酸化アルミニウム、窒化シリコン、及び酸窒化シリコンの群から選択されるいずれかであることが好ましく、バッファ層12は酸化シリコンであることが好ましい。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
プラスチック基板上にバッファ層を介してポリシリコン薄膜が形成されてなる薄膜トランジスタ搭載パネルであって、前記プラスチック基板と前記バッファ層との間に、無機密着層が形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ搭載パネル。
IPC (1件)：
H01L 29/786
FI (1件)：
H01L29/78 626C
Fターム (37件)：
5F110AA23 ,  5F110AA26 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF28 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ22 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110PP03 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ25
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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