特許
J-GLOBAL ID:201203014204126870

薄膜トランジスタ形成用基板、半導体装置、電気装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 志賀 正武 ,  大浪 一徳
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-268710
公開番号(公開出願番号):特開2012-118341
出願日: 2010年12月01日
公開日(公表日): 2012年06月21日
要約:
【課題】薄くて軽いフレキシブル性を有するものであって、表示装置の薄厚化および狭額縁化などによる小型化や軽量化、さらには高牢性(高信頼性)を実現することのできる薄膜トランジスタ形成用基板、半導体装置、電気装置を提供する。【解決手段】本発明の薄膜トランジスタ形成用基板は、フレキシブル性又は伸縮性を有する基板と、基板内に埋め込まれた少なくとも1つの電子部品と、を備えることを特徴とする。【選択図】図2
請求項(抜粋):
フレキシブル性又は伸縮性を有する基板本体と、 前記基板内に埋め込まれた少なくとも1つの電子部品と、を備える ことを特徴とする薄膜トランジスタ形成用基板。
IPC (6件):
G09F 9/30 ,  G09F 9/00 ,  G02F 1/136 ,  G02F 1/167 ,  G02F 1/17 ,  G02F 1/133
FI (9件):
G09F9/30 310 ,  G09F9/30 330Z ,  G09F9/30 338 ,  G09F9/00 346Z ,  G09F9/00 347Z ,  G02F1/1368 ,  G02F1/167 ,  G02F1/17 ,  G02F1/1333 500
Fターム (59件):
2H090JB03 ,  2H090JC11 ,  2H092GA46 ,  2H092GA60 ,  2H092JA26 ,  2H092JB54 ,  2H092JB57 ,  2H092JB69 ,  2H092KA09 ,  2H092MA04 ,  2H092MA10 ,  2H092NA25 ,  2H092PA01 ,  2H092PA06 ,  2H092QA08 ,  2H092QA15 ,  2H190JB03 ,  2H190JC11 ,  2K101AA04 ,  2K101BA02 ,  2K101BB43 ,  2K101BC02 ,  2K101BD04 ,  2K101BD61 ,  2K101BE32 ,  2K101EB01 ,  2K101EC08 ,  2K101EC10 ,  2K101EC62 ,  2K101EC72 ,  2K101ED13 ,  2K101EE02 ,  2K101EJ02 ,  5C094AA15 ,  5C094AA31 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094BA52 ,  5C094BA75 ,  5C094CA19 ,  5C094DA06 ,  5C094DA09 ,  5C094DA12 ,  5C094DB01 ,  5C094DB02 ,  5C094EB01 ,  5C094FA02 ,  5C094FB12 ,  5G435AA14 ,  5G435AA18 ,  5G435BB11 ,  5G435BB12 ,  5G435BB13 ,  5G435CC09 ,  5G435EE31 ,  5G435EE40 ,  5G435EE49 ,  5G435HH12
引用特許:
審査官引用 (9件)
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