特許
J-GLOBAL ID:201203014204126870
薄膜トランジスタ形成用基板、半導体装置、電気装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
志賀 正武
, 大浪 一徳
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-268710
公開番号(公開出願番号):特開2012-118341
出願日: 2010年12月01日
公開日(公表日): 2012年06月21日
要約:
【課題】薄くて軽いフレキシブル性を有するものであって、表示装置の薄厚化および狭額縁化などによる小型化や軽量化、さらには高牢性(高信頼性)を実現することのできる薄膜トランジスタ形成用基板、半導体装置、電気装置を提供する。【解決手段】本発明の薄膜トランジスタ形成用基板は、フレキシブル性又は伸縮性を有する基板と、基板内に埋め込まれた少なくとも1つの電子部品と、を備えることを特徴とする。【選択図】図2
請求項(抜粋):
フレキシブル性又は伸縮性を有する基板本体と、
前記基板内に埋め込まれた少なくとも1つの電子部品と、を備える
ことを特徴とする薄膜トランジスタ形成用基板。
IPC (6件):
G09F 9/30
, G09F 9/00
, G02F 1/136
, G02F 1/167
, G02F 1/17
, G02F 1/133
FI (9件):
G09F9/30 310
, G09F9/30 330Z
, G09F9/30 338
, G09F9/00 346Z
, G09F9/00 347Z
, G02F1/1368
, G02F1/167
, G02F1/17
, G02F1/1333 500
Fターム (59件):
2H090JB03
, 2H090JC11
, 2H092GA46
, 2H092GA60
, 2H092JA26
, 2H092JB54
, 2H092JB57
, 2H092JB69
, 2H092KA09
, 2H092MA04
, 2H092MA10
, 2H092NA25
, 2H092PA01
, 2H092PA06
, 2H092QA08
, 2H092QA15
, 2H190JB03
, 2H190JC11
, 2K101AA04
, 2K101BA02
, 2K101BB43
, 2K101BC02
, 2K101BD04
, 2K101BD61
, 2K101BE32
, 2K101EB01
, 2K101EC08
, 2K101EC10
, 2K101EC62
, 2K101EC72
, 2K101ED13
, 2K101EE02
, 2K101EJ02
, 5C094AA15
, 5C094AA31
, 5C094BA03
, 5C094BA27
, 5C094BA43
, 5C094BA52
, 5C094BA75
, 5C094CA19
, 5C094DA06
, 5C094DA09
, 5C094DA12
, 5C094DB01
, 5C094DB02
, 5C094EB01
, 5C094FA02
, 5C094FB12
, 5G435AA14
, 5G435AA18
, 5G435BB11
, 5G435BB12
, 5G435BB13
, 5G435CC09
, 5G435EE31
, 5G435EE40
, 5G435EE49
, 5G435HH12
引用特許:
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