特許
J-GLOBAL ID:200903091407722842
半導体装置およびその作製方法
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-345314
公開番号(公開出願番号):特開2007-200291
出願日: 2006年12月22日
公開日(公表日): 2007年08月09日
要約:
【課題】電磁波によって与えられた電力を有効活用することのできる表示機能付き無線認証半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】アンテナと、アンテナとに電気的に接続された電源生成回路と、電源生成回路に電気的に接続されたICチップ回路および表示素子と、電源生成回路に設けられた第1のTFT、ICチップ回路に設けられた第2のTFTおよび表示素子に設けられた第3のTFTと、第1のTFT、第2のTFTおよび第3のTFTを覆って設けられた絶縁膜と、絶縁膜上に形成された第1のソース電極またはドレイン電極と、第2のソース電極またはドレイン電極および第3のソース電極またはドレイン電極と、第3のソースまたはドレイン電極と電気的に接続された画素電極とを有し、第1のソース電極またはドレイン電極をアンテナと電気的に接続する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
アンテナとして機能する導電膜と、
前記アンテナとして機能する導電膜に電気的に接続された電源生成回路と、
前記電源生成回路に設けられた定電圧回路及び表示用電源回路と、
前記定電圧回路から第1の電圧が供給される集積回路と、前記表示用電源回路から第2の電圧が供給される表示素子と、
前記電源生成回路を構成する第1の薄膜トランジスタと、
前記集積回路を構成する第2の薄膜トランジスタと、
前記表示素子を構成する第3の薄膜トランジスタと、
前記第1の薄膜トランジスタ、前記第2の薄膜トランジスタおよび前記第3の薄膜トランジスタを覆って設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された、前記第1の薄膜トランジスタのソース電極およびドレイン電極と、前記第2の薄膜トランジスタのソース電極およびドレイン電極と、前記第3の薄膜トランジスタのソース電極およびドレイン電極と、
前記第3の薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極と電気的に接続された画素電極とを有し、
前記第1の薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極は、前記アンテナとして機能する導電膜に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (12件):
G06K 19/077
, G09F 9/30
, H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/822
, H01L 27/04
, G06K 19/07
, G02F 1/133
, G02F 1/136
, G02F 1/134
, G02F 1/167
, G09F 9/00
FI (14件):
G06K19/00 K
, G09F9/30 338
, H01L29/78 612Z
, H01L29/78 613Z
, H01L27/04 L
, H01L27/04 U
, G06K19/00 J
, G06K19/00 H
, G02F1/1333
, G02F1/1368
, G02F1/1345
, G02F1/167
, G09F9/30 330Z
, G09F9/00 347Z
Fターム (136件):
2H089HA17
, 2H089JA11
, 2H089QA12
, 2H089QA16
, 2H089TA01
, 2H089TA07
, 2H089TA08
, 2H089TA09
, 2H089UA09
, 2H092GA45
, 2H092JA24
, 2H092JB22
, 2H092JB31
, 2H092NA26
, 2H092NA27
, 2H092PA01
, 2H092PA06
, 2H092RA10
, 5B035AA04
, 5B035BA05
, 5B035BB09
, 5B035CA06
, 5B035CA08
, 5B035CA12
, 5B035CA23
, 5B035CA27
, 5C094AA21
, 5C094AA42
, 5C094BA03
, 5C094BA43
, 5C094BA75
, 5C094DA09
, 5C094DA13
, 5C094DB01
, 5C094EA10
, 5F038AZ04
, 5F038AZ07
, 5F038BB04
, 5F038DF01
, 5F038DF08
, 5F038DF10
, 5F038DF11
, 5F038EZ03
, 5F038EZ06
, 5F038EZ20
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, 5F110AA16
, 5F110BB02
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, 5F110BB20
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, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD03
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, 5F110FF29
, 5F110GG01
, 5F110GG02
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, 5F110GG25
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, 5F110GG32
, 5F110GG43
, 5F110GG45
, 5F110GG47
, 5F110GG51
, 5F110HJ01
, 5F110HJ04
, 5F110HJ06
, 5F110HJ12
, 5F110HJ13
, 5F110HJ14
, 5F110HJ23
, 5F110HK05
, 5F110HL01
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, 5F110HL04
, 5F110HL06
, 5F110HL08
, 5F110HL11
, 5F110HL23
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, 5F110NN24
, 5F110NN27
, 5F110NN33
, 5F110NN34
, 5F110NN35
, 5F110NN36
, 5F110NN71
, 5F110NN78
, 5F110PP01
, 5F110PP02
, 5F110PP03
, 5F110PP04
, 5F110PP05
, 5F110PP06
, 5F110PP23
, 5F110PP29
, 5F110PP34
, 5F110QQ04
, 5F110QQ06
, 5F110QQ11
, 5F110QQ16
, 5F110QQ28
, 5G435AA16
, 5G435BB12
, 5G435EE41
, 5G435EE49
, 5G435HH12
, 5G435HH13
, 5G435LL07
引用特許:
出願人引用 (2件)
審査官引用 (5件)
-
カード及び前記カードを用いた記帳システム
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-426321
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
-
半導体装置、ICカード
公報種別:公開公報
出願番号:特願2005-059938
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
-
半導体装置及びその作製方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2005-061959
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
-
半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2004-363424
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
-
電気光学装置及び電子機器
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-112782
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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