特許
J-GLOBAL ID：201203016715881645
半導体装置の製造方法及び半導体基板
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-133239
公開番号（公開出願番号）：特開2011-258823
出願日： 2010年06月10日
公開日（公表日）： 2011年12月22日
要約：
【課題】半導体装置の製造方法及び半導体基板において、半導体素子の信頼性を維持すること。【解決手段】複数の半導体素子領域Rcが形成された半導体基板30のスクライブ領域Rsの多層膜29上に、中央部35cの厚さが端面35eより厚く、帯状で、レーザー光Lを透過する部材からなる保護膜35を形成する工程と、保護膜35にレーザー光Lを照射して、スクライブ領域Rsの多層膜29を除去する工程とを含む半導体装置の製造方法による。【選択図】図12
請求項（抜粋）：
複数の半導体素子領域が形成された半導体基板のスクライブ領域の多層膜上に、中央部の厚さが端面より厚く、帯状で、レーザー光を透過する部材からなる保護膜を形成する工程と、
前記保護膜にレーザー光を照射して、前記スクライブ領域の前記多層膜を除去する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (3件)：
H01L21/78 L
, H01L21/78 Q
, H01L21/78 B
