特許

J-GLOBAL ID：200903009466018522

チップおよびウェハの加工方法

発明者： 田村 宗生 ,  淺井 誠 ,  藤井 哲夫
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 田下 明人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-288743
公開番号（公開出願番号）：特開2007-165855
出願日： 2006年10月24日
公開日（公表日）： 2007年06月28日
要約：

【課題】レーザ光の照射によって形成された改質領域を切断の起点とする割断によりウェハを切断分離するとき、割断時または割断後に切断面からウェハの形成材料の微少片が剥離するのを防止可能なウェハの加工方法を提供する。【解決手段】ダイシングフィルム11を伸張させて各改質領域群Ga〜Gcに引張応力を印加すると、各改質領域群を切断の起点とした割断によりウェハ10を切断分離できる。このとき、ウェハ10の表面10bを上向きにして水平に配置した状態でウェハ10を加熱しているため、加熱によって熱可塑性を有する部材12が溶融し、ウェハ10の切断分離と同時に、溶融した部材12がウェハ10の切断面10dを重力に従って垂れ落ち、その後に、部材12が切断面10d全体に付着して被覆する。そして、ウェハ10の加熱を停止して冷却させると、部材12はウェハ10の切断面10d全体を被覆した状態で冷却されて硬化する。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

ウェハから切断分離されたチップであって、当該チップの切断面である外周側壁面が発塵防止材によって被覆されていることを特徴とするチップ。

IPC (4件)：

H01L 21/301 ,  B23K 26/38 ,  B23K 26/18 ,  B23K 26/40

FI (8件)：

H01L21/78 R ,  H01L21/78 B ,  H01L21/78 V ,  H01L21/78 Q ,  H01L21/78 L ,  B23K26/38 320 ,  B23K26/18 ,  B23K26/40

Fターム (5件)：

4E068AD01 ,  4E068CD01 ,  4E068CF01 ,  4E068CF03 ,  4E068DA10

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特許第3408805号公報(第2〜16頁 図1〜図32)
  
• レーザ加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-278663   出願人：浜松ホトニクス株式会社
• レーザ加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-280377   出願人：浜松ホトニクス株式会社

審査官引用 (6件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-051873   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-421737   出願人：松下電器産業株式会社
• ダイシングフィルム、フリップチップ実装方法、及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-187584   出願人：ソニー株式会社
• レーザ加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-067281   出願人：浜松ホトニクス株式会社
• ウエーハの加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-063483   出願人：株式会社ディスコ
• 電子デバイスおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-007848   出願人：TDK株式会社