半導体発光装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：日向寺雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-056438
公開番号（公開出願番号）：特開2012-195345
出願日： 2011年03月15日
公開日（公表日）： 2012年10月11日
要約：

【課題】実施形態によれば、光取り出し効率を高めた半導体発光装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、半導体層と、p側電極と、n側電極と、無機膜とを備えている。半導体層は、第1の面と、その反対側に形成された第2の面と、発光層とを有し、窒化ガリウムを含む。p側電極は、第2の面における発光層を有する領域に設けられている。n側電極は、第2の面における発光層を含まない領域に設けられている。無機膜は、第1の面に接して設けられ、窒化ガリウムの屈折率と空気の屈折率との間の屈折率を有し、かつシリコンと窒素とを主成分とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の面と、その反対側に形成された第2の面と、発光層とを有し、窒化ガリウムを含む半導体層と、前記第2の面における前記発光層を有する領域に設けられたp側電極と、前記第2の面における前記発光層を含まない領域に設けられたn側電極と、前記第1の面に接して設けられ、前記窒化ガリウムの屈折率と空気の屈折率との間の屈折率を有し、かつシリコンと窒素とを主成分とする無機膜と、を備えたことを特徴とする半導体発光装置。

IPC (1件)：

H01L 33/32

FI (1件)：

H01L33/00 186

Fターム (23件)：

5F041AA03 , 5F041AA05 , 5F041AA25 , 5F041AA33 , 5F041AA44 , 5F041CA13 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA76 , 5F041CB36 , 5F041DA09 , 5F141AA03 , 5F141AA05 , 5F141AA25 , 5F141AA33 , 5F141AA44 , 5F141CA13 , 5F141CA40 , 5F141CA65 , 5F141CA74 , 5F141CA76 , 5F141CB36

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-005140 出願人：株式会社東芝
裏側ビアを持った透明サブマウント付き発光デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-202236 出願人：ルミレッズライティングユーエスリミテッドライアビリティカンパニー
発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-178962 出願人：株式会社東芝

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