特許
J-GLOBAL ID:200903067432126547

発光素子およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 平田 忠雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-133750
公開番号(公開出願番号):特開2006-041479
出願日: 2005年04月28日
公開日(公表日): 2006年02月09日
要約:
【課題】 光吸収係数の大なる層に光を留めることなく外部放射を促進させることができる発光素子およびその製造方法を提供することにある。【解決手段】 LED素子1のn-GaN層13からサファイア基板をリフトオフし、サファイア基板よりも高い屈折率を有するガラス部材11をn-GaN層13に接合したので、GaN層内に閉じ込められる層内閉込光を低減して外部放射される青色光を増やすことができ、その結果、光取り出し性を向上させることができる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
発光層を含む半導体層を有し、実装面側に第1および第2の電極が設けられるフリップチップ型の発光素子において、 前記半導体層の光放射面側に設けられる屈折率n=1.6以上の透光性高屈折率材料層とを有することを特徴とする発光素子。
IPC (1件):
H01L 33/00
FI (1件):
H01L33/00 C
Fターム (8件):
5F041AA03 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA76 ,  5F041CA77 ,  5F041CB36 ,  5F041DA09
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (6件)
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