特許
J-GLOBAL ID:201203017095539433
水溶性樹脂組成物およびこれを用いて微細パターンを形成する方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
名古屋国際特許業務法人
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-073283
公開番号(公開出願番号):特開2012-155304
出願日: 2011年03月29日
公開日(公表日): 2012年08月16日
要約:
【課題】半導体工程のフォトレジストのコンタクトホールパターンの大きさを効率よく減少することによって、微細なフォトレジストパターンを形成することのできる水溶性樹脂組成物を提供する。【解決手段】下記の(式1)のように表示される水溶性重合体および第1水溶性溶媒を含み、コンタクトホールパターンが形成されているフォトレジスト膜上に塗布および熱処理することによって、前記コンタクトホールの大きさを減少させる水溶性樹脂組成物。【選択図】なし
請求項(抜粋):
下記の(式1)のように表示される水溶性重合体および第1水溶性溶媒を含み、
コンタクトホールパターンが形成されているフォトレジスト膜上に塗布および熱処理することによって前記コンタクトホールの大きさを減少させることを特徴とする微細パターン形成用の水溶性樹脂組成物。
IPC (3件):
G03F 7/40
, H01L 21/027
, C08F 32/00
FI (3件):
G03F7/40 511
, H01L21/30 502R
, C08F32/00
Fターム (22件):
2H096AA25
, 2H096BA11
, 2H096HA05
, 4J100AL08R
, 4J100AL08S
, 4J100AM15Q
, 4J100AM17S
, 4J100AM21R
, 4J100AM21S
, 4J100AR09P
, 4J100BA03P
, 4J100BA03R
, 4J100BA03S
, 4J100BA16P
, 4J100BA31R
, 4J100BA31S
, 4J100CA01
, 4J100CA04
, 4J100CA05
, 4J100CA06
, 4J100DA38
, 4J100JA38
引用特許: