特許
J-GLOBAL ID：201203017666756038

多結晶シリコン及びその製造方法

発明者：
ライナー ペヒ

ライナー ペヒ について

, 
エーリヒ ドアンベアガー

エーリヒ ドアンベアガー について


出願人/特許権者：
ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフト

ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフト について


代理人 (8件)： 久野 琢也 ,  矢野 敏雄 ,  高橋 佳大 ,  来間 清志 ,  星 公弘 ,  二宮 浩康 ,  篠 良一 ,  アインゼル・フェリックス=ラインハルト
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-183660
公開番号（公開出願番号）：特開2012-046412
出願日： 2011年08月25日
公開日（公表日）： 2012年03月08日
要約：
【課題】表面ダストの含量が少なくコスト的に好ましい多結晶シリコンを提供する。【解決手段】多結晶シリコン破砕破片を含有する多結晶シリコンであって、前記破砕破片の少なくとも90%が明細書中に記載のサイズを有する前記多結晶シリコンにおいて、シリコンダスト粒子の割合が、400μm未満の粒子サイズについては15ppmw未満であり、50μm未満の粒子サイズについては14ppmw未満であり、10μm未満の粒子サイズについては10ppmw未満であり、かつ1μm未満の粒子サイズについては3ppmw未満であることと、さらに、金属による表面汚染が、0.1ppbw以上で100ppbw以下であることと、を特徴とする前記多結晶シリコンによって解決される。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
多結晶シリコン破砕破片を含有する多結晶シリコンであって、前記破砕破片の少なくとも90%が10〜40mmのサイズを有する前記多結晶シリコンにおいて、シリコンダスト粒子の割合が、400μm未満の粒子サイズについては15ppmw未満であり、50μm未満の粒子サイズについては14ppmw未満であり、10μm未満の粒子サイズについては10ppmw未満であり、かつ1μm未満の粒子サイズについては3ppmw未満であることと、さらに、金属による表面汚染が、0.1ppbw以上で100ppbw以下であることと、を特徴とする前記多結晶シリコン。
IPC (1件)：
C01B 33/02
FI (1件)：
C01B33/02 E
Fターム (15件)：
4G072AA01 ,  4G072BB01 ,  4G072BB05 ,  4G072BB12 ,  4G072DD01 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072MM23 ,  4G072MM26 ,  4G072MM28 ,  4G072TT01 ,  4G072TT19 ,  4G072UU01 ,  4G072UU02
引用特許：
審査官引用 (3件)

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