特許
J-GLOBAL ID：201203020245966590

結晶性酸化物半導体膜の作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-197842
公開番号（公開出願番号）：特開2012-084863
出願日： 2011年09月12日
公開日（公表日）： 2012年04月26日
要約：
【課題】優れた結晶性を有する酸化物半導体膜を作製する。【解決手段】酸化物半導体の膜を形成するに際し、基板を第1の温度以上第2の温度未満に加熱しつつ、基板の、典型的な長さが1nm乃至1μmの部分だけ、第2の温度以上の温度に加熱する。ここで、第1の温度とは、何らかの刺激があれば結晶化する温度であり、第2の温度とは、刺激がなくとも自発的に結晶化する温度である。また、典型的な長さとは、その部分の面積を円周率で除したものの平方根である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
酸化物半導体の膜を形成するに際し、 何らかの刺激があれば前記酸化物半導体が結晶化する温度を第1の温度とし、 刺激がなくとも自発的に前記酸化物半導体が結晶化する温度を第2の温度とし、 典型的な長さをある部分の面積を円周率で除したものの平方根と定義するとき、 スパッタリング法により酸化物半導体の膜が形成された基板を前記第1の温度以上前記第2の温度未満に加熱しつつ、エネルギー線を照射して、前記典型的な長さが1nm乃至1μmの部分だけ、前記第2の温度以上の温度とすることを特徴とする結晶性酸化物半導体膜の作製方法。
IPC (12件)：
H01L 21/363 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/824 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/22 ,  C23C 14/34 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (10件)：
H01L21/363 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L21/20 ,  H01L27/10 321 ,  C23C14/08 K ,  C23C14/22 F ,  C23C14/34 K ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371
Fターム (146件)：
4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA50 ,  4K029BB09 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029CA15 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC35 ,  4K029EA08 ,  5F083AD02 ,  5F083AD10 ,  5F083AD21 ,  5F083AD69 ,  5F083GA06 ,  5F083GA11 ,  5F083GA27 ,  5F083HA06 ,  5F083HA10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA53 ,  5F083JA56 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083LA01 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083MA06 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083PR22 ,  5F083PR34 ,  5F101BA17 ,  5F101BA23 ,  5F101BA26 ,  5F101BA29 ,  5F101BA34 ,  5F101BA36 ,  5F101BB02 ,  5F101BB08 ,  5F101BC20 ,  5F101BD03 ,  5F101BD07 ,  5F101BD30 ,  5F101BD32 ,  5F101BD35 ,  5F101BD39 ,  5F101BD40 ,  5F101BE07 ,  5F101BF02 ,  5F101BF09 ,  5F101BH16 ,  5F103AA01 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103BB41 ,  5F103BB42 ,  5F103BB60 ,  5F103DD30 ,  5F103GG02 ,  5F103HH01 ,  5F103LL13 ,  5F103PP03 ,  5F103RR05 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110BB05 ,  5F110CC01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD12 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE31 ,  5F110EE38 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ15 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK21 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL07 ,  5F110HL09 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN62 ,  5F110NN72 ,  5F110NN74 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ21 ,  5F152BB02 ,  5F152CC02 ,  5F152CC03 ,  5F152CC05 ,  5F152CC06 ,  5F152CC07 ,  5F152CC08 ,  5F152CD12 ,  5F152CD16 ,  5F152CE08 ,  5F152CE16 ,  5F152CE43 ,  5F152CE45 ,  5F152CF13 ,  5F152EE08 ,  5F152FF01 ,  5F152FF19 ,  5F152FF21
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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