特許

J-GLOBAL ID：200903066740161691

半導体膜の結晶化方法、半導体装置の製造方法、及びレーザ照射装置

発明者： 田中 幸一郎
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
代理人 (2件)： 柳瀬 睦肇 ,  渡部 温
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-022864
公開番号（公開出願番号）：特開2007-235118
出願日： 2007年02月01日
公開日（公表日）： 2007年09月13日
要約：

【課題】半導体膜の品質に面内ばらつきが生じることを抑制できる半導体膜の結晶化方法を提供する。【解決手段】半導体膜の結晶化方法は、基板510上に形成された半導体膜506に、第1のレーザ光503を基板510の底面510aに対して傾斜した状態で照射しつつ、第1のレーザ光503とは異なる発振器から発振された第2のレーザ光504を、基板510の底面510aに対して第1のレーザ光503とは反対の方向に傾斜した状態で照射することにより、半導体膜506の一部を溶融させ、かつ第1及び第2のレーザ光503、504の照射位置を、該第1又は第2のレーザ光503、504が傾斜している方向に略沿って走査して、半導体膜506の溶融している部分を移動させることにより、半導体膜506を結晶化するものである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に形成された半導体膜に、第1のレーザ光を前記基板の底面に対して傾斜した状態で照射しつつ、前記第1のレーザ光とは異なる発振器から発振された第2のレーザ光を、前記第1のレーザ光とは反対の方向に傾斜した状態で前記基板の底面に対して照射することにより、前記半導体膜の一部を溶融させ、 かつ前記第1のレーザ光及び前記第2のレーザ光の照射位置を、該第1のレーザ光又は該第2のレーザ光が傾斜している方向に略沿って走査して、前記半導体膜の溶融している部分を移動させることにより、前記半導体膜を結晶化する半導体膜の結晶化方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L21/20 ,  H01L21/268 J ,  H01L21/268 F ,  H01L29/78 627G

Fターム (159件)：

5F110AA01 ,  5F110AA28 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110BB09 ,  5F110CC02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE22 ,  5F110EE23 ,  5F110EE28 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF32 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110GG51 ,  5F110GG53 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL12 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110HL24 ,  5F110HL27 ,  5F110HM13 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110NN78 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP07 ,  5F110PP13 ,  5F110PP24 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ28 ,  5F152AA03 ,  5F152AA08 ,  5F152AA10 ,  5F152BB02 ,  5F152CC02 ,  5F152CC03 ,  5F152CC04 ,  5F152CC05 ,  5F152CC06 ,  5F152CC07 ,  5F152CC08 ,  5F152CC09 ,  5F152CD13 ,  5F152CD14 ,  5F152CD15 ,  5F152CE04 ,  5F152CE05 ,  5F152CE06 ,  5F152CE13 ,  5F152CE14 ,  5F152CE15 ,  5F152CE16 ,  5F152CE24 ,  5F152CE45 ,  5F152CF13 ,  5F152CF18 ,  5F152DD05 ,  5F152DD07 ,  5F152EE01 ,  5F152EE02 ,  5F152EE03 ,  5F152EE06 ,  5F152EE16 ,  5F152FF02 ,  5F152FF03 ,  5F152FF04 ,  5F152FF05 ,  5F152FF06 ,  5F152FF07 ,  5F152FF08 ,  5F152FF11 ,  5F152FF21 ,  5F152FF22 ,  5F152FF26 ,  5F152FF28 ,  5F152FF30 ,  5F152FF31 ,  5F152FF32 ,  5F152FF47 ,  5F152FG01 ,  5F152FG04 ,  5F152FG12 ,  5F152FG13 ,  5F152FG18 ,  5F152FG23 ,  5F152FH02 ,  5F152FH03 ,  5F152FH08 ,  5F152LP01 ,  5F152LP08 ,  5F152LP09 ,  5F152MM04 ,  5F152NN14 ,  5F152NN16 ,  5F152NN20 ,  5F152NQ03 ,  5F152NQ12

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体結晶化方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-143097   出願人：富士通株式会社, 株式会社日本レーザー

審査官引用 (6件)

• レーザ照射方法およびレーザ照射装置、並びに半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-256189   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開平2-015616
  
• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-367099   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開昭62-003089
  
• 多結晶半導体膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-061072   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-076099   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所