特許
J-GLOBAL ID：200903018627370565

可視光透過半導体素子およびその製造方法

発明者：
外岡 和彦

外岡 和彦 について

, 
菊地 直人

菊地 直人 について

, 
邱 徳威

邱 徳威 について


出願人/特許権者：
独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-081331
公開番号（公開出願番号）：特開2007-258468
出願日： 2006年03月23日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：
【課題】 可視光透過半導体膜の形成の際に、堆積中の膜に光放出装置からの光を照射しながら半導体膜を形成することにより、各種の可視光透過半導体膜を耐熱性の低い透明基板上に形成することを可能にした可視光透過半導体素子を提供することにある。【解決手段】 透明基板8と、透明基板8への半導体の組成を含む材料の堆積中に光放出装置9bからの光を照射しながら形成される半導体膜とからなることを特徴とする可視光透過半導体素子である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
透明基板と、該透明基板への半導体の組成を含む材料の堆積中に光放出装置からの光を照射しながら形成される半導体膜とからなることを特徴とする可視光透過半導体素子。
IPC (3件)：
H01L 21/363 ,  H01L 29/861 ,  C23C 14/22
FI (3件)：
H01L21/363 ,  H01L29/91 F ,  C23C14/22 F
Fターム (24件)：
4K029AA09 ,  4K029AA11 ,  4K029BA45 ,  4K029BA47 ,  4K029BA49 ,  4K029BA50 ,  4K029BA58 ,  4K029BC03 ,  4K029BC05 ,  4K029BC07 ,  4K029BC08 ,  4K029BC09 ,  4K029BD01 ,  4K029CA00 ,  4K029DB20 ,  5F103AA01 ,  5F103DD27 ,  5F103DD30 ,  5F103GG02 ,  5F103HH04 ,  5F103JJ01 ,  5F103JJ03 ,  5F103NN06 ,  5F103NN07
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (8件)
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