特許
J-GLOBAL ID：201203020795599136

半導体ウエーハの加工方法

発明者：
カール・プリワッサ

カール・プリワッサ について


出願人/特許権者：
株式会社ディスコ

株式会社ディスコ について


代理人 (2件)： 松本 昂 ,  伊藤 憲二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-078852
公開番号（公開出願番号）：特開2012-216565
出願日： 2011年03月31日
公開日（公表日）： 2012年11月08日
要約：
【課題】追加加工ステップで熱処理を実施してもデバイス領域に接着剤の糊が残存することのない半導体ウエーハの加工方法を提供すること。【解決手段】半導体ウエーハ11の表面に保護テープを貼着する保護テープ貼着ステップと、保護テープ貼着ステップを実施した後、半導体ウエーハ11のデバイス領域に対応した裏面を研削して円形凹部32を形成するとともに円形凹部32を囲繞する外周余剰領域を含む環状凸部34を形成する研削ステップと、研削ステップを実施した後、保護テープを半導体ウエーハ11の表面から除去する保護テープ除去ステップと、保護テープ除去ステップを実施した後、半導体ウエーハ11の外周部のみを接着して半導体ウエーハ11の表面にサブストレート36を配設するサブストレート配設ステップと、サブストレート36が表面に配設された半導体ウエーハ11に後処理を施す後処理ステップとを具備した。【選択図】図14
請求項（抜粋）：
複数の交差する分割予定ラインで区画された各領域にそれぞれ半導体デバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に有する半導体ウエーハの加工方法であって、 半導体ウエーハの該表面に保護テープを貼着する保護テープ貼着ステップと、 該保護テープ貼着ステップを実施した後、半導体ウエーハの該デバイス領域に対応した裏面を研削して円形凹部を形成するとともに該円形凹部を囲繞する該外周余剰領域を含む環状凸部を形成する研削ステップと、 該研削ステップを実施した後、該保護テープを半導体ウエーハの該表面から除去する保護テープ除去ステップと、 該保護テープ除去ステップを実施した後、半導体ウエーハの外周部のみを接着して半導体ウエーハの該表面にサブストレートを配設するサブストレート配設ステップと、 該サブストレートが該表面に配設された半導体ウエーハに後処理を施す後処理ステップと、 を具備したことを特徴とする半導体ウエーハの加工方法。
IPC (1件)：
H01L 21/304
FI (3件)：
H01L21/304 631 ,  H01L21/304 601Z ,  H01L21/304 622J
Fターム (11件)：
5F057AA21 ,  5F057AA44 ,  5F057BA21 ,  5F057CA15 ,  5F057CA16 ,  5F057CA36 ,  5F057DA11 ,  5F057DA14 ,  5F057DA22 ,  5F057FA28 ,  5F057FA30
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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