ウェーハの加工方法及びウェーハ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：佐々木功 , 川村恭子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-069118
公開番号（公開出願番号）：特開2007-019461
出願日： 2006年03月14日
公開日（公表日）： 2007年01月25日
要約：

【課題】研削により薄くなったウェーハを安定的に支持し、その後の加工時の取り扱いを容易とする。【解決手段】複数のデバイスが形成されたデバイス領域とデバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に備えたウェーハWを加工するにあたり、ウェーハWの裏面Wbのうちデバイス領域に相当する領域に凹部W3を形成し、凹部W3の外周側に外周余剰領域を含むリング状補強部W4を残存させる。リング状補強部W4によってデバイス領域の外周側が補強されているため、その後のウェーハの取り扱いが容易となる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に備えたウェーハを加工するウェーハの加工方法であって、該ウェーハの裏面のうち該デバイス領域に相当する領域に凹部を形成し、該凹部の外周側に該外周余剰領域を含むリング状補強部を形成するウェーハの加工方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 , H01L 21/301 , H01L 21/02

FI (3件)：

H01L21/304 631 , H01L21/78 M , H01L21/02 C

引用特許：

出願人引用 (1件)

チャックテーブル及び半導体ウェーハの研削方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-114154 出願人：株式会社ディスコ

審査官引用 (12件)

半導体ウエハおよび半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-140475 出願人：株式会社ルネサステクノロジ
洗浄装置および研磨装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-160670 出願人：株式会社ディスコ
特開昭63-295167

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