特許
J-GLOBAL ID：201203021797260540

基板処理装置及び半導体装置の製造方法

発明者：
小川 雲龍

小川 雲龍 について


出願人/特許権者：
株式会社日立国際電気

株式会社日立国際電気 について


代理人 (4件)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁 ,  福岡 昌浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-197081
公開番号（公開出願番号）：特開2012-054475
出願日： 2010年09月02日
公開日（公表日）： 2012年03月15日
要約：
【課題】金属含有膜の酸化を抑制しつつシリコン含有膜の選択酸化を行い、シリコン含有膜中に侵入した水素の残留を抑制する。【解決手段】基板を第1の温度に加熱しつつ、処理室内に水素含有ガス及び酸素含有ガスを供給した状態でプラズマ放電して所定時間維持する工程と、基板を第1の温度よりも高い第2の温度で加熱しつつ、処理室内に希ガスを供給して処理室内を希ガスの雰囲気に所定時間維持する工程と、を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
シリコン含有膜及び金属含有膜を有する基板を処理する処理室と、 前記基板を加熱する加熱部と、 前記処理室内に水素含有ガス、酸素含有ガス、希ガスを供給するガス供給部と、 前記処理室内にプラズマ放電を生じさせるプラズマ生成部と、 前記ガス供給部、前記プラズマ生成部及び前記加熱部を制御する制御部と、を有し、 前記制御部は、 前記処理室内に搬入された前記基板を第1の温度に加熱させつつ、前記処理室内に前記水素含有ガス及び前記酸素含有ガスを供給させた状態でプラズマ放電させて所定時間維持させた後、 前記基板を前記第1の温度よりも高い第2の温度に加熱させつつ、前記処理室内に前記希ガスを供給させて前記処理室内を前記希ガスの雰囲気に所定時間維持させるよう制御する ことを特徴とする基板処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/316 ,  H05H 1/46 ,  H01L 21/31
FI (4件)：
H01L21/316 A ,  H05H1/46 A ,  H01L21/316 P ,  H01L21/31 C
Fターム (17件)：
5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AC11 ,  5F045AC17 ,  5F045AD10 ,  5F045EE18 ,  5F045EH11 ,  5F045EH16 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BD04 ,  5F058BE04 ,  5F058BF55 ,  5F058BF60 ,  5F058BF73 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ07
引用特許：
審査官引用 (4件)
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