特許
J-GLOBAL ID：201203023140947807

半導体装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-143681
公開番号（公開出願番号）：特開2012-033908
出願日： 2011年06月29日
公開日（公表日）： 2012年02月16日
要約：
【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性を向上させる。【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、第13族元素および酸素を含む材料を用いて酸化物半導体膜と接する絶縁膜を形成することにより、酸化物半導体膜との界面の状態を良好に保つ。さらに該絶縁膜が、化学量論的組成比より酸素が多い領域を含むことにより、酸化物半導体膜に酸素を供給し、酸化物半導体膜中の酸素欠陥を低減する。また、酸化物半導体膜と接する絶縁膜を積層構造として、酸化物半導体膜の上下に、アルミニウムを含む膜を設けることで、酸化物半導体膜への水の侵入を防止する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ゲート電極と、 前記ゲート電極を覆い、第1の金属酸化物膜および第2の金属酸化物膜の積層構造を含むゲート絶縁膜と、 前記第2の金属酸化物膜と接し、前記ゲート電極と重畳する領域に設けられた酸化物半導体膜と、 前記酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、 前記酸化物半導体膜と接する第3の金属酸化物膜と、 前記第3の金属酸化物膜と接する第4の金属酸化物膜と、を有し、 前記第1乃至第4の金属酸化物膜はそれぞれ、第13族元素および酸素を含む、半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/786 ,  G02F 1/136 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/14
FI (7件)：
H01L29/78 619A ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/78 618B ,  G02F1/1368 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/14 Z
Fターム (96件)：
2H092GA59 ,  2H092JA25 ,  2H092JA26 ,  2H092JA36 ,  2H092JA46 ,  2H092JB57 ,  2H092KA08 ,  2H092KA12 ,  2H092KA22 ,  2H092MA05 ,  2H092MA10 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092NA24 ,  2H092PA06 ,  2H092QA06 ,  2H092QA07 ,  2H092QA09 ,  2H092QA13 ,  2H092QA14 ,  3K107AA01 ,  3K107AA05 ,  3K107BB01 ,  3K107CC11 ,  3K107EE04 ,  5F110AA06 ,  5F110AA08 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD25 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE30 ,  5F110FF01 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK42 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN05 ,  5F110NN22 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN40 ,  5F110NN41 ,  5F110NN46 ,  5F110NN49 ,  5F110NN53 ,  5F110NN54 ,  5F110NN55 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP29 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ06
引用特許：
審査官引用 (6件)
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