半導体装置及び半導体装置の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-176611
公開番号（公開出願番号）：特開2010-056542
出願日： 2009年07月29日
公開日（公表日）： 2010年03月11日
要約：

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。【解決手段】半導体層としてIn、Ga、及びZnを含む酸化物半導体膜を用い、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間にバッファ層が設けられた逆スタガ型(ボトムゲート構造)の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース電極層及びドレイン電極層と半導体層との間に、半導体層よりもキャリア濃度の高いバッファ層を意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ゲート電極層と、前記ゲート電極層上にゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に半導体層と、前記半導体層上にn型の導電型を有するバッファ層と、前記バッファ層上にソース電極層及びドレイン電極層とを含む薄膜トランジスタを有し、前記半導体層及び前記バッファ層はインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物半導体層であり、前記バッファ層のキャリア濃度は、前記半導体層のキャリア濃度より高く、前記半導体層と前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層とは前記バッファ層を介して電気的に接続することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (6件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 616V , H01L29/78 616U , H01L29/78 627B , H01L29/78 618A , H01L29/78 616L

Fターム (62件)：

5F110AA02 , 5F110AA05 , 5F110AA06 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE23 , 5F110EE28 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF07 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG22 , 5F110GG25 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG58 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK08 , 5F110HK17 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK25 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK42 , 5F110HL01 , 5F110HL07 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110NN72 , 5F110QQ09 , 5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (11件)

薄膜デバイス及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-217272 出願人：日本電気株式会社, NEC液晶テクノロジー株式会社
半導体装置、及び半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-284538 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-262991 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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