特許

J-GLOBAL ID：201203027421281250

紫外光検出デバイス及びその製造方法

発明者： 角谷 正友 ,  サン リウエン ,  リャオ メイヨン ,  小出 康夫
出願人/特許権者： 独立行政法人物質・材料研究機構
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-045788
公開番号（公開出願番号）：特開2012-182396
出願日： 2011年03月03日
公開日（公表日）： 2012年09月20日
要約：

【課題】本発明は、破壊電圧及び感度を高め、永久光電流を抑制して、SN比、on/off比及び応答速度を高めた紫外光検出デバイス及びその製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】III-V族化合物薄膜からなり、紫外光照射面35を有する紫外光検出層22と、前記紫外光検出層22の一面22aに形成された絶縁部23と、絶縁部23の一面23aに形成された第1及び第2の電極部31、32と、を有する紫外光検出デバイス11であって、絶縁部23がII-VII族化合物である紫外光検出デバイスを用いることによって前記課題を解決できる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

III-V族化合物薄膜からなり、紫外光照射面を有する紫外光検出層と、前記紫外光検出層の一面に形成された絶縁部と、前記絶縁部の一面に形成された第1及び第2の電極部と、を有する紫外光検出デバイスであって、 前記絶縁部がII-VII族化合物であることを特徴とする紫外光検出デバイス。

IPC (1件)：

H01L 31/10

FI (1件)：

H01L31/10 A

Fターム (5件)：

5F049MB07 ,  5F049SE05 ,  5F049SE12 ,  5F049SE20 ,  5F049WA05

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体受光素子ならびに半導体受光素子アレイおよび画像処理装置ならびに画像処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-094975   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体受光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-368211   出願人：三洋電機株式会社
• 光電流増倍素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-224414   出願人：双葉電子工業株式会社