特許
J-GLOBAL ID：201203028113140812

放射線撮像装置、放射線撮像表示システムおよびトランジスタ

発明者：
山田 泰弘

山田 泰弘 について

, 
田中 勉

田中 勉 について

, 
高徳 真人

高徳 真人 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (4件)： 藤島 洋一郎 ,  三反崎 泰司 ,  長谷部 政男 ,  田名網 孝昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-003742
公開番号（公開出願番号）：特開2012-146805
出願日： 2011年01月12日
公開日（公表日）： 2012年08月02日
要約：
【課題】被曝量による閾値電圧のシフトを抑制するが可能なトランジスタを提供する。【解決手段】放射線撮像装置1は、フォトダイオードとトランジスタ111Bとを含む光電変換層を有する。トランジスタ111Bは、基板11上に、第1ゲート電極120A、第1ゲート絶縁膜129、半導体層126、第2ゲート絶縁膜130および第2ゲート電極120Bをこの順に有し、第1ゲート絶縁膜129および第2ゲート絶縁膜130におけるSiO2膜の総和が65nm以下となっている。トランジスタが被曝すると、ゲート絶縁膜におけるSiO2膜に正孔がチャージされ、閾値電圧がシフトし易くなるが、上記のようなSiO2膜厚の最適化により、閾値電圧シフトが効果的に抑制される。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
基板上に、第1のゲート電極、第1のゲート絶縁膜、半導体層、第2のゲート絶縁膜および第2のゲート電極をこの順に有し、 前記第1および第2のゲート絶縁膜がそれぞれ、酸素を有する1または複数のシリコン化合物膜を含み、かつそれらのシリコン化合物膜の厚みの総和が65nm以下である トランジスタ。
IPC (8件)：
H01L 29/786 ,  H01L 27/146 ,  H01L 27/144 ,  H01L 31/09 ,  G01T 1/20 ,  G01T 1/24 ,  G01T 7/00 ,  H01L 21/336
FI (13件)：
H01L29/78 617N ,  H01L29/78 617U ,  H01L27/14 C ,  H01L27/14 K ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 613Z ,  H01L31/00 A ,  G01T1/20 E ,  G01T1/20 G ,  G01T1/24 ,  G01T7/00 A ,  H01L29/78 616A
Fターム (80件)：
2G088GG19 ,  2G088GG21 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ31 ,  2G088JJ33 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA05 ,  4M118CA32 ,  4M118CB01 ,  4M118CB05 ,  4M118CB06 ,  4M118CB11 ,  4M118CB14 ,  4M118DD12 ,  4M118EA05 ,  4M118EA14 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118GA10 ,  5F088AA03 ,  5F088AB03 ,  5F088AB05 ,  5F088BA01 ,  5F088BB07 ,  5F088DA01 ,  5F088EA04 ,  5F088EA08 ,  5F088FA04 ,  5F088FA05 ,  5F088HA12 ,  5F088HA13 ,  5F088HA15 ,  5F088LA08 ,  5F110AA08 ,  5F110BB01 ,  5F110BB10 ,  5F110CC08 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110EE30 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG44 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL11 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN05 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP10 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ19
引用特許：
審査官引用 (4件)
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