特許

J-GLOBAL ID：201203028524807982

グラフェン発光素子及びその製造方法

発明者： スン-ウォン ウォング ,  ゲウン-ウー コウ ,  スン-ヒュン シム ,  フン-ジェ チュング ,  ハン-キュ-ソン ,  チェオル-ソー ソネ ,  ジン-ヒュン リー ,  ヒュン-デュク コウ
出願人/特許権者： サムソン エルイーディー カンパニーリミテッド.
代理人 (1件)： 龍華国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-202388
公開番号（公開出願番号）：特開2012-064944
出願日： 2011年09月15日
公開日（公表日）： 2012年03月29日
要約：

【課題】グラフェン発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】グラフェン発光素子及びその製造方法に係り、該グラフェン発光素子は、p型ドーパントがドーピングされたp型グラフェンと、n型ドーパントがドーピングされたn型グラフェンと、発光する活性グラフェンと、が水平配列されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

p型ドーパントがドーピングされたp型グラフェンと、 n型ドーパントがドーピングされたn型グラフェンと、 前記p型グラフェンと前記n型グラフェンとの間に設けられて発光する活性グラフェンと、を含み、 前記p型グラフェン、前記n型グラフェン及び活性グラフェンは、水平配列されるグラフェン発光素子。

IPC (5件)：

H01L 33/34 ,  C01B 31/02 ,  H01L 33/06 ,  B82Y 20/00 ,  B82Y 30/00

FI (5件)：

H01L33/00 188 ,  C01B31/02 101Z ,  H01L33/00 112 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00

Fターム (22件)：

4G146AA01 ,  4G146AB07 ,  4G146AC16B ,  4G146AC19B ,  4G146AD28 ,  4G146CA15 ,  4G146CB10 ,  4G146CB13 ,  4G146CB14 ,  4G146CB21 ,  4G146CB32 ,  4G146CB34 ,  4G146CB36 ,  5F041AA42 ,  5F041CA05 ,  5F041CA08 ,  5F041CA33 ,  5F041CA49 ,  5F041CA54 ,  5F041CA55 ,  5F041CA57 ,  5F041CA67

引用特許：

出願人引用 (3件)

• グラフェン層が成長された基板およびそれを用いた電子・光集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-242092   出願人：株式会社日立製作所
• グラフェントランジスタ及び電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-020277   出願人：富士通株式会社
• 量子細線の製造方法および半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-019866   出願人：シャープ株式会社

審査官引用 (3件)

• グラフェン層が成長された基板およびそれを用いた電子・光集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-242092   出願人：株式会社日立製作所
• グラフェントランジスタ及び電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-020277   出願人：富士通株式会社
• 量子細線の製造方法および半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-019866   出願人：シャープ株式会社