特許
J-GLOBAL ID：200903080235623470

量子細線の製造方法および半導体素子

発明者：
福島 康守

福島 康守 について

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上田 徹

上田 徹 について

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安尾 文利

安尾 文利 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-019866
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223690
出願日： 1999年01月28日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：
【要約】【課題】 Si基板等の半導体基板を用い、一般的な成膜技術,リソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、ナノメータサイズの量子細線を形成する。【解決手段】 従来の成膜技術,ホトリソグラフィ技術及びエッチング技術を駆使して、Si基板31上に垂直方向に延在する第2酸化膜35を形成する。そして、エッチングによって垂直方向に延在する第2酸化膜35とその下にある第2窒化膜34と更にその下にある第1酸化膜32を除去して、Si基板31を露出させる溝38を形成する。そして、Si基板31の露出部分にSi細線39をエピタキシャル成長させる。こうして、特殊な微細加工技術を用いることなく量子細線39を形成する。溝38の幅は、第2窒化膜34の表面を酸化して形成する第2酸化膜35の膜厚制御でナノメータ単位で精密に制御できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に第1酸化膜を形成し、その上にパターニングされた第1窒化膜を形成する工程と、上記第1酸化膜およびパターニングされた第1窒化膜の上に第2窒化膜を形成し、この第2窒化膜の表面を酸化して第2酸化膜を形成する工程と、上記第2酸化膜上に第3窒化膜を形成する工程と、上記第3窒化膜における上記第1窒化膜の端部に基づく段差の中央部から下側部分をマスクして上記段差の上側部分をエッチバックし、上記第2酸化膜における上記第1窒化膜上の部分を露出させる工程と、上記第2窒化膜および第3窒化膜をマスクとして、上記第2窒化膜と第3窒化膜とに挟まれて上記半導体基板上面に対して垂直方向に延在する第2酸化膜をドライエッチングによって除去し、溝を形成する工程と、上記溝の下部にある第2窒化膜、さらにその下にある第1酸化膜をエッチングによって除去し、上記半導体基板を露出させる工程と、上記第1窒化膜,上記溝に面した第2窒化膜および上記第3窒化膜を除去する工程と、上記半導体基板が露出している部分に量子細線をエピタキシャル成長させる工程と、上記第1酸化膜,第2窒化膜および第2酸化膜を除去する工程と、上記量子細線の下部を酸化して第3酸化膜を形成し、上記量子細線と半導体基板とを上記第3酸化膜によって分離する工程を備えたことを特徴とする量子細線の製造方法。
IPC (8件)：
H01L 29/06 ,  H01L 21/28 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/786 ,  H01L 33/00
FI (7件)：
H01L 29/06 ,  H01L 21/28 G ,  H01L 33/00 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 29/78 618 C ,  H01L 29/78 622
Fターム (34件)：
4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB36 ,  4M104CC05 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104FF06 ,  4M104GG08 ,  4M104GG16 ,  4M104HH20 ,  5F001AA04 ,  5F001AA30 ,  5F001AB02 ,  5F001AG02 ,  5F001AG26 ,  5F041CA05 ,  5F041CA33 ,  5F041CA46 ,  5F041CA64 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F041CA77 ,  5F083EP03 ,  5F083EP27 ,  5F083GA01 ,  5F083JA32 ,  5F083PR12 ,  5F083PR25 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG12 ,  5F110GG21 ,  5F110GG44
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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