グラフェン層が成長された基板およびそれを用いた電子・光集積回路装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：ポレール特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-242092
公開番号（公開出願番号）：特開2010-153793
出願日： 2009年10月21日
公開日（公表日）： 2010年07月08日
要約：

【課題】グラフェン層成膜の大面積化や基板材質の選択自由度の拡大、製造の低コスト化を実現するグラフェン層が成長された基板およびそれを用いた電子・光集積回路装置を提供する。【解決手段】本発明に係るグラフェン層が成長された基板は、単層または複数層からなるグラフェン層が成長された基板であって、前記グラフェン層は前記基板の表面に対して略平行に成長しており、前記グラフェン層に対向する前記基板の最表面には金属酸化物の原子層が存在し、前記グラフェン層の前記基板に隣接する層と前記金属酸化物の原子層との層間距離が0.34 nm以下であることを特徴とする。また、前記金属酸化物の原子層の算術平均表面粗さRaが1 nm以下であることが好ましい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

単層または複数層からなるグラフェン層が成長された基板であって、前記グラフェン層は前記基板の表面に対して平行に成長しており、前記グラフェン層に対向する前記基板の表面には金属酸化物の原子層が存在し、前記グラフェン層の前記基板に隣接する層と前記金属酸化物の原子層との層間距離が0.34 nm以下であることを特徴とするグラフェン層が成長された基板。

IPC (2件)：

H01L 21/20 , H01L 29/786

FI (2件)：

H01L21/20 , H01L29/78 618B

Fターム (27件)：

5F110AA01 , 5F110CC01 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110GG01 , 5F110GG16 , 5F110GG44 , 5F110GG58 , 5F110PP10 , 5F152LL03 , 5F152LL08 , 5F152LL10 , 5F152LN04 , 5F152LN22 , 5F152LN27 , 5F152LN31 , 5F152MM04 , 5F152MM08 , 5F152MM11 , 5F152NN03 , 5F152NN13 , 5F152NN16 , 5F152NP12 , 5F152NP13 , 5F152NP17 , 5F152NQ02

引用特許：

審査官引用 (7件)

電極材料用の高導電性透明炭素膜
公報種別：公表公報出願番号：特願2010-503421 出願人：マックスプランク-ゲセルシャフト・ツール・フェーデルング・デル・ヴィッセンシャフテン・エー・ファウ
電子デバイス用基板およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-072076 出願人：日本電信電話株式会社
グラファイト層の形成方法、該方法によって形成されたグラファイト層を有するX線光学素子及びX線光学素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-058732 出願人：新技術事業団, 松井丈雄, 菊地理恵, 大木芳正

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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