特許
J-GLOBAL ID：201203030165237428

グラフェン膜の製造方法およびグラフェン膜の層数を均一化する方法

発明者：
日比野 浩樹

日比野 浩樹 について

, 
田中 悟

田中 悟 について

, 
萩原 好人

萩原 好人 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について

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国立大学法人九州大学

国立大学法人九州大学 について


代理人 (3件)： 山川 政樹 ,  山川 茂樹 ,  黒川 弘朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-182088
公開番号（公開出願番号）：特開2012-041219
出願日： 2010年08月17日
公開日（公表日）： 2012年03月01日
要約：
【課題】グラフェン膜の層数をより均一化する方法を提供する。【解決手段】グラフェン膜104を構成する層のうちSiC基板100を部分的に覆う層を、水素ガス雰囲気中で所定の温度に加熱することによって、そのエッジから選択的にエッチングする。これにより、グラフェン膜104の層のうちSiC基板100を全体的に覆うものだけを残しておくことができるので、グラフェン膜104の層数を均一化することができる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板上に複数の層から成るグラフェン膜を形成する第1の工程と、 前記グラフェン膜を水素ガス雰囲気中で所定の温度に加熱してエッチングする第2の工程と を備えることを特徴とするグラフェン膜の製造方法。
IPC (2件)：
C01B 31/02 ,  B82B 1/00
FI (2件)：
C01B31/02 101Z ,  B82B1/00
Fターム (12件)：
4G146AA01 ,  4G146AA07 ,  4G146AB07 ,  4G146BA08 ,  4G146BC03 ,  4G146BC27 ,  4G146BC34B ,  4G146BC37B ,  4G146CA08 ,  4G146CA09 ,  4G146CB11 ,  4G146CB15
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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