SiC基板へのグラフェン成膜方法及びグラフェン付きSiC基板

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：柳野隆生 , 森岡則夫 , 関口久由
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-102620
公開番号（公開出願番号）：特開2011-230959
出願日： 2010年04月27日
公開日（公表日）： 2011年11月17日
要約：

【課題】水素アニール処理を必要とせず、かつ従来よりも低い温度の真空アニールで高品質のグラフェンを形成することが可能なSiC基板へのグラフェン成膜方法及びグラフェン付きSiC基板を提供する。【解決手段】スクラッチが除去されてステップテラス構造が出現する程度に単結晶SiC表面を平坦化加工することが可能な触媒基準エッチング(CARE)法による精密加工工程と、洗浄工程と、真空中で800〜1100°C、1〜10分間熱処理してSiC表面にグラフェンを形成するアニール工程と、からなるグラフェン成膜方法とし、前記アニール工程の熱処理条件を制御することによりグラフェンの層数を単層又は2層に制御する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

単結晶SiC表面を、スクラッチを除去してステップテラス構造が出現する程度に平坦化加工する精密加工工程と、洗浄工程と、真空中で800〜1100°C、1〜10分間熱処理してSiC表面にグラフェンを形成するアニール工程とを有し、前記アニール工程の熱処理条件を制御することによりグラフェンの層数を単層又は2層に制御すること特徴とするSiC基板へのグラフェン成膜方法。

IPC (3件)：

C01B 31/02 , H01L 29/161 , H01L 21/306

FI (3件)：

C01B31/02 101Z , H01L29/163 , H01L21/306 M

Fターム (22件)：

4G146AA07 , 4G146AB07 , 4G146AC16B , 4G146AD30 , 4G146BA08 , 4G146BA45 , 4G146BB02 , 4G146BB09 , 4G146BB11 , 4G146BC02 , 4G146BC27 , 4G146BC33A , 4G146BC33B , 4G146BC34A , 4G146BC34B , 4G146BC37A , 4G146BC37B , 5F043AA05 , 5F043BB30 , 5F043DD10 , 5F043DD16 , 5F043GG10

引用文献：

審査官引用 (4件)

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