特許
J-GLOBAL ID：201203031535055908

電界効果トランジスタ及び電界効果トランジスタの製造方法

発明者：
太田 裕道

太田 裕道 について

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小出 浩貴

小出 浩貴 について

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高木 利哉

高木 利哉 について

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藤本 隆史

藤本 隆史 について


出願人/特許権者：
国立大学法人名古屋大学

国立大学法人名古屋大学 について

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東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (1件)： 正林 真之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-206380
公開番号（公開出願番号）：特開2012-064687
出願日： 2010年09月15日
公開日（公表日）： 2012年03月29日
要約：
【課題】MgとInとを主成分とする複合酸化物を活性層とし、かつ良好な電界効果移動度を示す電界効果トランジスタを提供すること。【解決手段】ゲート電極3、ソース電極4及びドレイン電極5と、ドレイン電極5及びソース電極4が接合された活性層2と、活性層2及びゲート電極3の間にゲート絶縁膜6と、備え、活性層2がMgとInとを主成分とする複合酸化物であり、ゲート絶縁膜6がY2O3である電界効果トランジスタ1を使用する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極が接合された活性層と、前記活性層及び前記ゲート電極の間にゲート絶縁膜と、を備え、 前記活性層が、MgとInとを主成分とする複合酸化物であり、前記ゲート絶縁膜がY2O3である電界効果トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/203
FI (5件)：
H01L29/78 617T ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L21/203 S ,  H01L21/203 Z
Fターム (42件)：
5F103AA08 ,  5F103AA10 ,  5F103BB22 ,  5F103DD30 ,  5F103HH03 ,  5F103HH04 ,  5F103HH05 ,  5F103LL08 ,  5F103LL13 ,  5F103RR09 ,  5F110AA01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG15 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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