特許
J-GLOBAL ID：201203032221759940

成膜装置、成膜方法及び記憶媒体

発明者：
尾▲崎▼ 成則

尾▲崎▼ 成則 について

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加藤 寿

加藤 寿 について

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熊谷 武司

熊谷 武司 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-191247
公開番号（公開出願番号）：特開2012-049394
出願日： 2010年08月27日
公開日（公表日）： 2012年03月08日
要約：
【課題】膜厚方向に亘って緻密な薄膜を得ること。また、良好なデバイス構造を得ること。【解決手段】回転テーブル2を回転させることにより、Si含有ガスとO3ガスとを用いてウエハWに反応生成物を形成する成膜ステップと、プラズマにより前記反応生成物を改質する改質ステップと、からなる成膜-改質処理を複数回行うと共に、薄膜の形成途中にてプラズマの強度を変更する。具体的には、反応生成物の積層膜厚が薄い時(成膜-改質処理を開始した初期)にはプラズマの強度を小さくすると共に、反応生成物の積層膜厚が増加する程(成膜ステップの回数が増える程)、ウエハWに供給するプラズマの強度を段階的に大きくする。あるいは、反応生成物の膜厚が薄い時にプラズマの強度を強くして、その後弱くする。【選択図】図9
請求項（抜粋）：
真空雰囲気にて複数種類の反応ガスを順番に基板に供給するサイクルを複数回繰り返して薄膜を形成し、複数種類の反応ガスのうちの一つは、基板に吸着された他の反応ガスの分子と反応して薄膜成分を形成するものである成膜装置において、 真空容器内に設けられ、基板を載置するための基板載置領域を備えた載置台と、 前記真空容器内を真空排気するための真空排気機構と、 前記基板載置領域に載置された基板に前記複数種類の反応ガスを夫々供給するための複数の反応ガス供給部と、 基板に吸着された前記他の反応ガスの分子と反応する成分を含むプラズマを、薄膜の形成中において基板に供給して、基板上の薄膜の改質処理を行うためのプラズマ発生部と、 薄膜の形成途中にて、前記プラズマ発生部から薄膜に供給されるプラズマの強度を、それ以前に薄膜に供給されていたプラズマの強度とは異なる強度に変更するように制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする成膜装置。
IPC (4件)：
H01L 21/31 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/316 ,  C23C 16/505
FI (6件)：
H01L21/31 C ,  H01L21/31 ,  H01L21/318 B ,  H01L21/316 X ,  H01L21/316 P ,  C23C16/505
Fターム (45件)：
4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030AA24 ,  4K030BA18 ,  4K030BA38 ,  4K030BA44 ,  4K030BB13 ,  4K030EA03 ,  4K030FA04 ,  4K030GA06 ,  4K030HA01 ,  4K030JA13 ,  4K030KA09 ,  4K030KA41 ,  5F045AA06 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045BB17 ,  5F045DP15 ,  5F045DP27 ,  5F045EE19 ,  5F045HA17 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BC08 ,  5F058BC09 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD10 ,  5F058BD12 ,  5F058BF04 ,  5F058BF07 ,  5F058BF22 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BH16
引用特許：
審査官引用 (4件)
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