特許

J-GLOBAL ID：201203032495596257

薄膜形成装置

発明者： 滝澤 一樹
出願人/特許権者： 三井造船株式会社
代理人 (1件)： グローバル・アイピー東京特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-052493
公開番号（公開出願番号）：特開2012-190957
出願日： 2011年03月10日
公開日（公表日）： 2012年10月04日
要約：

【課題】長期間使用しても均一な薄膜の形成を維持することができ、さらに、形成される薄膜に薄膜の特性を低下するような不純物が含まれ難い薄膜形成装置を提供する。【解決手段】薄膜形成装置は、成膜容器と、前記成膜容器の成膜空間内に薄膜形成に用いるガスを導入するガス導入部と、前記成膜空間内の基板を載置する載置台の上部に、電流が一方の端面から他方の端面に流れ、主面が前記成膜空間に向くプラズマ生成用電極板が設けられ、前記成膜空間内の前記ガスを用いて前記成膜空間内でプラズマを生成させるプラズマ電極部と、前記成膜空間に向く前記電極板の面の一部を遮蔽する第1の誘電体板と、前記電極板の面の残りの部分を遮蔽する交換可能な第2の誘電体板と、を含む電極板遮蔽部と、を有する。前記第2の誘電体板は、前記電極板の電流が流れる端面間の経路長の中央の位置に対して少なくとも上流側に位置する領域に設けられる。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

基板に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、 減圧状態で基板に薄膜を形成する成膜空間を備える成膜容器と、 前記成膜容器の前記成膜空間内に薄膜形成に用いるガスを導入するガス導入部と、 前記成膜空間内の基板を載置する載置台の上部に、電流が一方の端面から他方の端面に流れ、主面が前記成膜空間に向くプラズマ生成用電極板が設けられ、前記成膜空間内の前記ガスを用いて前記成膜空間内でプラズマを生成させるプラズマ電極部と、 前記成膜空間に向く前記電極板の面の一部を遮蔽する第1の誘電体板と、前記電極板の面の残りの部分を遮蔽する交換可能な第2の誘電体板と、を含む電極板遮蔽部と、を有し、 前記第2の誘電体板は、前記電極板の電流が流れる端面間の経路長の中央の位置に対して少なくとも上流側に位置する領域に設けられる、ことを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/509

FI (2件)：

H01L21/205 ,  C23C16/509

Fターム (30件)：

4K030AA06 ,  4K030BA29 ,  4K030CA06 ,  4K030CA17 ,  4K030FA03 ,  4K030GA04 ,  4K030JA17 ,  4K030KA02 ,  4K030KA12 ,  4K030KA23 ,  4K030KA45 ,  4K030KA47 ,  4K030LA15 ,  4K030LA16 ,  5F045AA08 ,  5F045AB03 ,  5F045AC01 ,  5F045AE13 ,  5F045AE15 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AF07 ,  5F045BB01 ,  5F045BB14 ,  5F045CA13 ,  5F045CA15 ,  5F045DP04 ,  5F045EH04 ,  5F045EH08 ,  5F045EH14

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 誘導結合プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-327421   出願人：ソニー株式会社
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-345573   出願人：三菱重工業株式会社
• プラズマ生成装置およびプラズマ処理装置
  公報種別：再公表公報   出願番号：JP2009002234   出願人：株式会社イー・エム・ディー, 安東靖典