特許
J-GLOBAL ID：200903042705777195

窒化アルミニウム結晶の成長方法および結晶成長装置

発明者：
山下 正史

山下 正史 について

, 
宮永 倫正

宮永 倫正 について

, 
水原 奈保

水原 奈保 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-262441
公開番号（公開出願番号）：特開2009-091186
出願日： 2007年10月05日
公開日（公表日）： 2009年04月30日
要約：
【課題】高い品質の窒化アルミニウム結晶を簡略な工程で成長可能な窒化アルミニウム結晶の成長方法および結晶成長装置を提供する。【解決手段】窒化アルミニウム結晶の成長方法は、以下の工程が実施される。まず、主表面11aおよび主表面11aと反対側の裏面11bとを有する基板11が準備される。そして、基板11の主表面11a上に、基板11と異なる材料の窒化アルミニウム結晶12が昇華法により成長される。そして、基板11の一部を昇華法に用いる雰囲気A1に対して密閉された状態から雰囲気A1に開放された状態にすることにより、開放された状態において基板11の少なくとも一部が昇華される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
主表面および前記主表面と反対側の裏面を有する基板を準備する工程と、 前記基板の前記主表面上に、前記基板と異なる材料の窒化アルミニウム結晶を昇華法により成長させる工程と、 前記基板の一部を前記昇華法に用いる雰囲気に対して密閉された状態から前記雰囲気に開放された状態にすることにより、前記開放された状態において前記基板の少なくとも一部を昇華させる工程とを備えた、窒化アルミニウム結晶の成長方法。
IPC (2件)：
C30B 29/38 ,  C30B 23/06
FI (2件)：
C30B29/38 C ,  C30B23/06
Fターム (18件)：
4G077AA02 ,  4G077BE13 ,  4G077DA02 ,  4G077DA18 ,  4G077EA02 ,  4G077EA06 ,  4G077ED06 ,  4G077EG01 ,  4G077EG25 ,  4G077FG11 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077SA01 ,  4G077SA04 ,  4G077SA08 ,  4G077SA11
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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