特許

J-GLOBAL ID：200903053215599150

AlNバルク単結晶及び半導体デバイス並びにAlN単結晶バルクの製造方法

発明者： 永田 俊郎 ,  アルブレヒト ウイナカー ,  ボリス エペルバーム ,  マティアス ビッカーマン ,  オクタビアン フィリップ ,  パウル ハイマン
出願人/特許権者： JFEミネラル株式会社 ,  フリードリヒ-アレクサンダー -ウニヴェルズィテート エアランゲン-ニュルンベルク
代理人 (3件)： 杉村 憲司 ,  来間 清志 ,  高梨 玲子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-063127
公開番号（公開出願番号）：特開2009-256192
出願日： 2009年03月16日
公開日（公表日）： 2009年11月05日
要約：

【課題】結晶として異種材料の単結晶を用いた場合であっても、欠陥が少なく、高品質のAlN単結晶バルク及びその製造方法、並びに半導体デバイスを提供する。【解決手段】種結晶1としての六方晶系単結晶基板の表面1aとして、C面に対して10〜80°傾斜した面を選択し(a)、この表面1a上に、昇華法によりAlN単結晶2を成長面2aとして成長させる(b)。六方晶系単結晶材料は、AlN、SiC、GaN又はZnOからなる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

C面に対し、10〜80°の角度で傾斜した結晶面を表面とする六方晶系単結晶材料を種結晶とし、前記表面上に、昇華法によりAlN単結晶を成長させAlN単結晶バルクを得ることを特徴とするAlN単結晶バルクの製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/38 ,  C30B 23/00

FI (2件)：

C30B29/38 C ,  C30B23/00

Fターム (17件)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB02 ,  4G077AB09 ,  4G077AB10 ,  4G077BE13 ,  4G077DA02 ,  4G077DA18 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077FJ06 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077SA01 ,  4G077SA04

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 窒化アルミニウム単結晶の製造方法及び窒化アルミニウム単結晶
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-220981   出願人：日本碍子株式会社
• 窒化アルミニウム結晶の製造方法、窒化アルミニウム結晶、窒化アルミニウム結晶基板および半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-343915   出願人：住友電気工業株式会社
• III族窒化物半導体結晶の製造方法、III族窒化物半導体基板および半導体発光デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-129077   出願人：三菱化学株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 昇華法によるさまざまなSiC基板上へのAlN結晶成長