トンネル磁気抵抗効果素子及びそれを用いたランダムアクセスメモリ

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：平木祐輔 , 関谷三男 , 渡辺敏章
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2009060432
公開番号（公開出願番号）：WO2010-143248
出願日： 2009年06月08日
公開日（公表日）： 2010年12月16日
要約：

垂直磁化材料を適用し、かつ書き込み電流密度を低減した磁気抵抗効果素子を提供する。記録層10の中央部に、周囲よりも膜厚の薄い領域を形成する。もしくは、記録層の中央部に、強磁性体として機能する実効的な膜厚が周囲よりも薄い領域を形成する。

請求項（抜粋）：

垂直磁化膜からなる記録層と、垂直磁化膜からなる固定層と、前記記録層と前記固定層の間に配置された非磁性層と、前記記録層と前記固定層のそれぞれに接して形成され、前記記録層の磁化の向きを反転させるための電流を素子膜厚方向に流すための一対の電極層とを備え、前記記録層は第1の領域と第2の領域をそれぞれ少なくとも一つ含み、前記第1の領域における単位面積あたりの磁気モーメントは前記第2の領域における単位面積あたりの磁気モーメントよりも低く、前記記録層の外周部分に前記第2の領域が占める割合は前記第1の領域が占める割合より大きいことを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。

IPC (5件)：

H01L 27/105 , H01L 21/824 , H01L 29/82 , H01L 43/08 , G11C 11/15

FI (4件)：

H01L27/10 447 , H01L29/82 Z , H01L43/08 Z , G11C11/15 140

Fターム (44件)：

4M119AA03 , 4M119BB01 , 4M119CC05 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD17 , 4M119DD22 , 4M119DD24 , 4M119DD33 , 4M119DD45 , 4M119EE22 , 4M119EE27 , 4M119FF05 , 4M119FF06 , 4M119FF15 , 4M119FF17 , 4M119JJ09 , 4M119JJ11 , 4M119JJ17 , 5F092AA01 , 5F092AB08 , 5F092AC12 , 5F092AD03 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB36 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BB53 , 5F092BB55 , 5F092BC04 , 5F092BC12 , 5F092BC13 , 5F092BC22 , 5F092BC32 , 5F092BC33 , 5F092BC39 , 5F092BC42 , 5F092BC43 , 5F092BE06 , 5F092CA06 , 5F092CA25

引用特許：

出願人引用 (3件)

記憶機能を有する3層構造磁気スピン極性化装置と当該装置を使用した記憶素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-375089 出願人：コミツサリアタレネルジーアトミーク
荷電粒子ビーム露光用マスクパターンの矩形/格子データ変換方法及びこれを用いた荷電粒子ビーム露光方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-333361 出願人：富士通株式会社
磁性素子、トンネル磁気抵抗効果素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-103185 出願人：キヤノン株式会社

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