特許
J-GLOBAL ID：201203034623071696
ハロゲン含有プラズマに露出された表面の浸食速度を減じる装置及び方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安齋 嘉章
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-001609
公開番号（公開出願番号）：特開2012-116749
出願日： 2012年01月06日
公開日（公表日）： 2012年06月21日
要約：
【課題】半導体処理に用いるハロゲン含有プラズマによる侵食に耐性のあるセラミック物品を提供する。【解決手段】セラミック物品は、典型的に、少なくとも2つの相又は3つの相を有する多相のセラミックを含む。第1の実施形態において、セラミックは、モル濃度が約50モル%〜約75モル%の酸化イットリウム、モル濃度が約10モル%〜約30モル%の酸化ジルコニウム、及びモル濃度が約10モル%〜約30モル%の酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化スカンジウム、酸化ネオジム、酸化ニオブ、酸化サマリウム、酸化イッテルビウム、酸化エルビウム、酸化セリウム及びこれらの組み合わせからなる群より選択される少なくとも1つの他の成分から形成されている。【選択図】図1A
請求項（抜粋）：
半導体処理に用いるハロゲン含有プラズマによる侵食に耐性のあるセラミック物品であって、前記セラミック物品は少なくとも2つの相を有する焼結セラミックを含み、前記セラミックが、モル濃度が約50モル%〜約75モル%の酸化イットリウム、モル濃度が約10モル%〜約30モル%の酸化ジルコニウム、並びに酸化ハフニウム、酸化スカンジウム、酸化ネオジム、酸化ニオブ、酸化サマリウム、酸化イッテルビウム、酸化エルビウム、酸化セリウム及びこれらの組み合わせからなる群より選択される少なくとも1つの他の成分から形成されていて、前記少なくとも1つの他の成分の濃度が、約10モル%〜約30モル%であり、製造された前記焼結セラミックの平均粒子サイズが、約0.5μm〜約10μmであるセラミック物品。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C04B35/50
, H01L21/302 101G
5F004AA16
, 5F004BB29
, 5F004CA06
, 5F004DA00
, 5F004DA01
, 5F004DA04
, 5F004DA11
, 5F004DA15
, 5F004DA16
, 5F004DA23
, 5F004DA25
, 5F004DA26
, 5F004DB01
, 5F004DB09
