特許

J-GLOBAL ID：201203035722545345

パターン形成方法

発明者： 畠山 潤
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-116495
公開番号（公開出願番号）：特開2012-032780
出願日： 2011年05月25日
公開日（公表日）： 2012年02月16日
要約：

【解決手段】式(1)で示される酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する繰り返し単位aと、ラクトン環を有する繰り返し単位bを含有する(メタ)アクリレートポリマーと、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布してレジスト膜を形成し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に現像液として2-ヘプタノンを50質量%以上含有する溶液による現像を行うパターン形成方法。(式中、R2は酸不安定基である。)【効果】安全にネガティブトーンパターンを形成できるプロセスを構築できる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示される酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する繰り返し単位aと、ラクトン環を有する繰り返し単位bの両方を含有する(メタ)アクリレートポリマーと、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布してレジスト膜を形成し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に現像液として2-ヘプタノンを50質量%以上含有する溶液による現像を行うことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (5件)：

G03F 7/32 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/038 ,  C08F 220/26 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

G03F7/32 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/038 601 ,  C08F220/26 ,  H01L21/30 569E

Fターム (64件)：

2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096DA01 ,  2H096EA05 ,  2H096EA30 ,  2H096FA01 ,  2H096GA03 ,  2H096GA18 ,  2H096JA08 ,  2H125AF15P ,  2H125AF17P ,  2H125AF36P ,  2H125AF38P ,  2H125AH11 ,  2H125AH15 ,  2H125AH16 ,  2H125AH19 ,  2H125AH22 ,  2H125AH23 ,  2H125AH24 ,  2H125AH25 ,  2H125AH29 ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ24Y ,  2H125AJ64X ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ68X ,  2H125AJ69X ,  2H125AJ70X ,  2H125AJ74Y ,  2H125AL03 ,  2H125AL22 ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125AN51P ,  2H125AN88P ,  2H125BA01P ,  2H125BA26P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC01 ,  2H125CC15 ,  2H125FA03 ,  2H125FA05 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100BA03R ,  4J100BA56S ,  4J100BB18S ,  4J100BC09R ,  4J100BC12P ,  4J100BC15R ,  4J100BC53P ,  4J100BC53Q ,  4J100BC58Q ,  4J100BC59S ,  4J100BC84Q ,  4J100BC84S ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100JA38 ,  5F146LA12

引用特許：

審査官引用 (3件)

• パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びレジスト膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-286766   出願人：富士フイルム株式会社
• パターン形成方法及びレジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-082701   出願人：富士フイルム株式会社
• レジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-203201   出願人：東京応化工業株式会社