特許
J-GLOBAL ID：201003012203977764

レジストパターン形成方法

発明者：
安藤 友之

安藤 友之 について

, 
阿部 翔

阿部 翔 について

, 
渡部 良司

渡部 良司 について

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平原 孔明

平原 孔明 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (4件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-203201
公開番号（公開出願番号）：特開2010-040849
出願日： 2008年08月06日
公開日（公表日）： 2010年02月18日
要約：
【課題】ネガ型の化学増幅型レジスト組成物を用いた二重露光により微細なコンタクトホールパターンを形成できる新規なレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】支持体11上に、ネガ型の化学増幅型レジスト組成物を用いてレジスト膜12を形成し、前記レジスト膜に対し、フォトマスクを介した第一の露光を行い、第一のラインアンドスペースパターンの潜像12’を形成した後、フォトマスクを介した第二の露光を行い、前記第一のラインアンドスペースパターンの潜像と交差するように、第二のラインアンドスペースパターンの潜像12’’を形成し、前記レジスト膜を現像して前記レジスト膜にホールパターンを形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
支持体上に、ネガ型の化学増幅型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成し、 前記レジスト膜に対し、フォトマスクを介した第一の露光を行い、第一のラインアンドスペースパターンの潜像を形成した後、フォトマスクを介した第二の露光を行い、前記第一のラインアンドスペースパターンの潜像と交差するように、第二のラインアンドスペースパターンの潜像を形成し、 前記レジスト膜を現像して前記レジスト膜にホールパターンを形成することを特徴とするレジストパターン形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/38 ,  G03F 7/038 ,  G03F 7/20
FI (5件)：
H01L21/30 502C ,  G03F7/38 511 ,  G03F7/038 601 ,  G03F7/20 501 ,  H01L21/30 514A
Fターム (30件)：
2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025BE07 ,  2H025CB14 ,  2H025CB45 ,  2H025CC17 ,  2H025FA01 ,  2H025FA04 ,  2H025FA17 ,  2H025FA29 ,  2H096AA25 ,  2H096DA10 ,  2H096EA12 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H097AA11 ,  2H097AA12 ,  2H097JA02 ,  2H097LA10 ,  2H097LA20 ,  5F046AA11 ,  5F046AA13 ,  5F046AA25
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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