特許

J-GLOBAL ID：201203035980868388

パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス

発明者： 高橋 秀知 ,  山口 修平 ,  片岡 祥平 ,  齊藤 翔一 ,  白川 三千紘 ,  吉野 文博
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (1件)： 高松 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-075854
公開番号（公開出願番号）：特開2012-208431
出願日： 2011年03月30日
公開日（公表日）： 2012年10月25日
要約：

【課題】ラインウィズスラフネス等のラフネス性能、局所的なパターン寸法の均一性、露光ラチチュード及びドライエッチング耐性に優れ、かつ露光により形成されるパターン部の膜厚低下、いわゆる膜べりを抑制するパターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供する。【解決手段】(ア)下記一般式(I)で表される繰り返し単位(a)、及び酸の作用により分解してアルコール性水酸基を生じる基と多環の脂環式炭化水素基とを有する繰り返し単位(b)を有する樹脂(P)並びに活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(B)を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、(イ)該膜を露光する工程、及び(ウ)有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を含む、パターン形成方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(ア)下記一般式(I)で表される繰り返し単位(a)、及び酸の作用により分解してアルコール性水酸基を生じる基と多環の脂環式炭化水素基とを有する繰り返し単位(b)を有する樹脂(P)並びに活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(B)を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、 (イ)該膜を露光する工程、及び (ウ)有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程 を含む、パターン形成方法。

IPC (5件)：

G03F 7/039 ,  G03F 7/038 ,  G03F 7/004 ,  H01L 21/027 ,  C08F 220/18

FI (5件)：

G03F7/039 601 ,  G03F7/038 601 ,  G03F7/004 503A ,  H01L21/30 502R ,  C08F220/18

Fターム (75件)：

2H125AF17P ,  2H125AF21P ,  2H125AF36P ,  2H125AF38P ,  2H125AF45P ,  2H125AF70P ,  2H125AH05 ,  2H125AH06 ,  2H125AH07 ,  2H125AH11 ,  2H125AH12 ,  2H125AH14 ,  2H125AH15 ,  2H125AH17 ,  2H125AH19 ,  2H125AH22 ,  2H125AH24 ,  2H125AH29 ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ18X ,  2H125AJ63X ,  2H125AJ64X ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ66X ,  2H125AJ67X ,  2H125AJ68X ,  2H125AJ69X ,  2H125AM12P ,  2H125AM22P ,  2H125AM23P ,  2H125AM27P ,  2H125AM30P ,  2H125AM32P ,  2H125AM43P ,  2H125AM66P ,  2H125AM86P ,  2H125AM99P ,  2H125AN08P ,  2H125AN37P ,  2H125AN38P ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125AN45P ,  2H125AN54P ,  2H125AN57P ,  2H125AN62P ,  2H125AN65P ,  2H125AN82P ,  2H125AN86P ,  2H125BA01P ,  2H125BA26P ,  2H125BA32P ,  2H125BA33P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC01 ,  2H125CC15 ,  2H125FA03 ,  2H125FA05 ,  4J100AL03Q ,  4J100AL08P ,  4J100AL08R ,  4J100BA03R ,  4J100BA22P ,  4J100BC03R ,  4J100BC04R ,  4J100BC09P ,  4J100BC27R ,  4J100BC52P ,  4J100BC52R ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100JA37

引用特許：

審査官引用 (4件)

• ポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-257996   出願人：富士フイルム株式会社
• パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-145514   出願人：信越化学工業株式会社
• レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-063408   出願人：富士フイルム株式会社
• ネガ型レジストパターン形成方法、それに用いられる現像液及びネガ型化学増幅型レジスト組成物、並びにレジストパターン
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-017489   出願人：富士フイルム株式会社