特許

J-GLOBAL ID：201203036011188244

III族窒化物半導体発光素子の製造方法

発明者： 酒井 浩光
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (6件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-120965
公開番号（公開出願番号）：特開2012-248765
出願日： 2011年05月30日
公開日（公表日）： 2012年12月13日
要約：

【課題】p型コンタクト層のドーパント濃度の低下と結晶性低下に起因する、順方向電圧の増大、発光出力の低下が生じにくいIII族窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】基板上にn型半導体層と多重量子井戸構造からなる発光層とp型クラッド層とを順次積層した後、キャリアガスとGa源及び窒素源を含む原料ガスとを連続的に供給するとともに、Mg源を含むドーパントガスを間欠的に供給するMOCVD法により、前記p型クラッド層上にp型コンタクト層を形成する工程を有し、前記ドーパントガスを供給する際に前記キャリアガスの流量を減少させることにより、前記p型コンタクト層の形成中における前記キャリアガスと原料ガスとドーパントガスとの総流量を一定に保つことを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子の製造方法を採用する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基板上にn型半導体層と多重量子井戸構造からなる発光層とp型クラッド層とを順次積層した後、キャリアガスとGa源及び窒素源を含む原料ガスとを連続的に供給するとともに、Mg源を含むドーパントガスを間欠的に供給するMOCVD法により、前記p型クラッド層上にAlxGayInzN(0≦x≦0.1、0≦y≦1、0≦z≦0.1、x+y+z=1)のp型コンタクト層を形成する工程を有し、 前記ドーパントガスを供給する際に前記キャリアガスの流量を減少させることにより、前記p型コンタクト層の形成中における前記キャリアガスと原料ガスとドーパントガスとの総流量を一定に保つことを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 33/32

FI (1件)：

H01L33/00 186

Fターム (21件)：

5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA88 ,  5F041DA18 ,  5F041DA43 ,  5F041DB01 ,  5F141AA03 ,  5F141AA40 ,  5F141CA04 ,  5F141CA05 ,  5F141CA40 ,  5F141CA57 ,  5F141CA65 ,  5F141CA74 ,  5F141CA88

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-380578   出願人：日亜化学工業株式会社
• 特開昭64-044012
  
• 半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-114570   出願人：株式会社日立製作所
• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-161452   出願人：日亜化学工業株式会社

審査官引用 (2件)

• 窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-380578   出願人：日亜化学工業株式会社
• 特開昭64-044012