記憶素子、メモリ装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：脇篤夫 , 鈴木伸夫 , 中川裕人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-205262
公開番号（公開出願番号）：特開2012-064625
出願日： 2010年09月14日
公開日（公表日）： 2012年03月29日
要約：

【課題】書込電流の低減と熱安定性の改善。【解決手段】記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層17と、記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層15と、記憶層と磁化固定層の間に設けられる非磁性体による絶縁層16とを有する。そして積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、記憶層の磁化の向きが変化して情報の記録が行われる。ここで記憶層が受ける実効的な反磁界の大きさが、記憶層の飽和磁化量よりも小さいものとされている。さらに記憶層17に接する絶縁層16と、該絶縁層とは反対側で記憶層が接する他方の層(例えばキャップ層18)は、少なくとも記憶層17と接する界面がMgO等の酸化膜で形成されている。さらに記憶層は、Co-Fe-B磁性層に加え、非磁性金属と酸化物の一方又は両方が含まれているようにする。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による絶縁層と、を有する層構造を備え、上記層構造の積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、上記記憶層の磁化の向きが変化して、上記記憶層に対して情報の記録が行われるとともに、上記記憶層が受ける、実効的な反磁界の大きさが、上記記憶層の飽和磁化量よりも小さいものとされ、上記記憶層に接する上記絶縁層と、該絶縁層とは反対側で上記記憶層が接する他方の層は、少なくとも上記記憶層と接する界面が酸化膜で形成されており、さらに上記記憶層は、Co-Fe-B磁性層に加え、非磁性金属と酸化物の一方又は両方が含まれている記憶素子。

IPC (5件)：

H01L 27/105 , H01L 21/824 , H01L 43/08 , H01L 43/10 , H01L 29/82

FI (5件)：

H01L27/10 447 , H01L43/08 Z , H01L43/10 , H01L29/82 Z , H01L43/08 M

Fターム (51件)：

4M119AA03 , 4M119AA06 , 4M119BB01 , 4M119CC05 , 4M119DD06 , 4M119DD07 , 4M119DD08 , 4M119DD09 , 4M119DD10 , 4M119DD17 , 4M119DD25 , 4M119DD33 , 4M119DD45 , 4M119DD55 , 4M119EE22 , 4M119EE27 , 4M119FF05 , 4M119FF13 , 4M119FF16 , 5F092AA08 , 5F092AB08 , 5F092AC12 , 5F092AD03 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092BB04 , 5F092BB10 , 5F092BB17 , 5F092BB18 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB33 , 5F092BB34 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB37 , 5F092BB43 , 5F092BB53 , 5F092BB81 , 5F092BC03 , 5F092BC04 , 5F092BC07 , 5F092BC13 , 5F092BC18 , 5F092BC22 , 5F092BC42 , 5F092BC46 , 5F092BE21 , 5F092BE24 , 5F092BE25 , 5F092BE27

引用特許：

審査官引用 (5件)

磁気抵抗素子及び磁気メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-094887 出願人：株式会社東芝
磁気抵抗素子及び磁気メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-094886 出願人：株式会社東芝
磁気抵抗素子及び磁気メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-240559 出願人：株式会社東芝

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