特許

J-GLOBAL ID：200903035947036975

記憶素子及びメモリ

発明者： 細見 政功 ,  大森 広之 ,  五十嵐 実 ,  山元 哲也 ,  肥後 豊 ,  山根 一陽 ,  大石 雄紀 ,  鹿野 博司
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  伊藤 仁恭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-350113
公開番号（公開出願番号）：特開2008-160031
出願日： 2006年12月26日
公開日（公表日）： 2008年07月10日
要約：

【課題】熱安定性に優れ、書き込み電流を低減することができる記憶素子を提供する。【解決手段】情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層17を有し、この記憶層17に対して絶縁体から成る中間層を介して磁化固定層31が設けられ、積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、記憶層17の磁化M1の向きが変化して、記憶層17に対して情報の記録が行われ、記憶層17を構成する強磁性層の比抵抗が8×10-7Ω・m以上である記憶素子3を構成する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層を有し、 前記記憶層に対して、中間層を介して磁化固定層が設けられ、 前記中間層が、絶縁体から成り、 積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、前記記憶層の磁化の向きが変化して、前記記憶層に対して情報の記録が行われ、 前記記憶層を構成する強磁性層の比抵抗が、8×10-7Ω・m以上である ことを特徴とする記憶素子。

IPC (3件)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08

FI (2件)：

H01L27/10 447 ,  H01L43/08 M

Fターム (43件)：

4M119AA01 ,  4M119AA03 ,  4M119AA07 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD08 ,  4M119DD09 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119DD55 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119FF05 ,  4M119JJ03 ,  4M119JJ09 ,  5F092AA08 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD25 ,  5F092BB04 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB18 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB33 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC42 ,  5F092BE21 ,  5F092BE24 ,  5F092BE25 ,  5F092CA23 ,  5F092CA26 ,  5F092EA06

引用特許：

出願人引用 (2件)

• キャリヤスピン注入磁化反転型磁気抵抗効果膜と該膜を用いた不揮発性メモリー素子及び該素子を用いたメモリー装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-203934   出願人：財団法人理工学振興会, 財団法人神奈川科学技術アカデミー
• 米国特許第6256223号明細書
  

審査官引用 (3件)

• スピン注入デバイス及びこれを用いた磁気装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-410966   出願人：独立行政法人科学技術振興機構
• 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-178963   出願人：ソニー株式会社
• 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-313092   出願人：株式会社東芝