磁気抵抗素子及び磁気メモリ

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-094886
公開番号（公開出願番号）：特開2008-252036
出願日： 2007年03月30日
公開日（公表日）： 2008年10月16日
要約：

【課題】磁化反転に必要な電流密度をより低減する。【解決手段】磁気抵抗素子10は、スピン偏極した電子の作用により磁化の方向が変化する第1の自由層15と、スピン偏極した電子の作用により磁化の方向が変化する第2の自由層13と、磁化の方向が固定された固定層11と、第1の自由層15と第2の自由層13との間に設けられた第1の非磁性層14と、第2の自由層13と固定層11との間に設けられた第2の非磁性層12とを具備する。そして、第1の自由層15の磁気異方性定数Ku1と活性化体積V1との積Ku1×V1と、第2の自由層13の磁気異方性定数Ku2と活性化堆積V2との積Ku2×V2との関係が、Ku1×V1>Ku2×V2を満たす。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

スピン偏極した電子の作用により磁化の方向が変化する第1の自由層と、スピン偏極した電子の作用により磁化の方向が変化する第2の自由層と、磁化の方向が固定された固定層と、前記第1の自由層と前記第2の自由層との間に設けられた第1の非磁性層と、前記第2の自由層と前記固定層との間に設けられた第2の非磁性層と、を具備し、前記第1の自由層の磁気異方性定数Ku1と活性化体積V1との積Ku1×V1と、前記第2の自由層の磁気異方性定数Ku2と活性化堆積V2との積Ku2×V2との関係が、Ku1×V1>Ku2×V2を満たすことを特徴とする磁気抵抗素子。

IPC (3件)：

H01L 43/08 , H01L 21/824 , H01L 27/105

FI (2件)：

H01L43/08 Z , H01L27/10 447

Fターム (40件)：

4M119AA03 , 4M119AA11 , 4M119BB01 , 4M119CC05 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD07 , 4M119DD09 , 4M119DD17 , 4M119DD33 , 4M119DD45 , 4M119EE23 , 4M119EE27 , 5F092AA04 , 5F092AB08 , 5F092AC06 , 5F092AC07 , 5F092AC12 , 5F092AD12 , 5F092AD25 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB24 , 5F092BB31 , 5F092BB33 , 5F092BB34 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB37 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BB44 , 5F092BB45 , 5F092BC04 , 5F092BC07 , 5F092BC08 , 5F092BC33 , 5F092BC39 , 5F092BC46 , 5F092BE25

引用特許：

出願人引用 (10件)

米国特許第6,256,223号明細書
磁気検出素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-006625 出願人：アルプス電気株式会社
スピン注入型磁化反転素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-129515 出願人：富士電機ホールディングス株式会社

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審査官引用 (13件)

記憶素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-203261 出願人：ソニー株式会社
固体メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-261601 出願人：国立大学法人名古屋大学, 三洋電機株式会社
磁気検出素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-006625 出願人：アルプス電気株式会社

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引用文献：

出願人引用 (1件)

スピントロニクス-磁性代メモリMRAMの基礎-, 20040410, 初版, P.44

審査官引用 (4件)

磁性材料, 19771120, P130-131
スピントロニクス-磁性代メモリMRAMの基礎-, 20040410, 初版, P.44
スピントロニクス-磁性代メモリMRAMの基礎-, 20040410, 初版, P.44

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