特許
J-GLOBAL ID：201203038183080634

半導体装置

発明者：
清水 達雄

清水 達雄 について

, 
四戸 孝

四戸 孝 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (3件)： 池上 徹真 ,  須藤 章 ,  松山 允之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-048646
公開番号（公開出願番号）：特開2012-186324
出願日： 2011年03月07日
公開日（公表日）： 2012年09月27日
要約：
【課題】p型SiC領域と金属との低抵抗コンタクトの実現を可能とする半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置は、導電性材料を用いた電極240と、導電型がp型の炭化珪素(SiC)半導体部220と、を備えており、かかるp型のSiC半導体部220は、前記第1の電極240に接続され、マグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)、及びバリウム(Ba)のうちの少なくとも1種類の元素が前記電極との界面部に面密度がピークになるように含有されたことを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
導電性材料を用いた第1の電極と、 前記第1の電極に接続され、マグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)、及びバリウム(Ba)のうちの少なくとも1種類の元素が前記電極との界面部に面密度がピークになるように含有された、導電型がp型の第1の炭化珪素(SiC)半導体部と、 を備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (10件)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/739 ,  H01L 29/868 ,  H01L 29/861 ,  H01L 21/329 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872
FI (11件)：
H01L29/78 652D ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652B ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/78 652J ,  H01L29/78 655A ,  H01L29/91 F ,  H01L29/91 A ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 A ,  H01L29/48 D
Fターム (22件)：
4M104AA03 ,  4M104BB01 ,  4M104BB05 ,  4M104BB18 ,  4M104BB21 ,  4M104BB30 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD02 ,  4M104DD16 ,  4M104DD26 ,  4M104DD37 ,  4M104DD79 ,  4M104DD80 ,  4M104DD84 ,  4M104DD94 ,  4M104EE03 ,  4M104GG02 ,  4M104GG06 ,  4M104GG09 ,  4M104HH15
引用特許：
審査官引用 (4件)
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