特許

J-GLOBAL ID：200903072167850282

SiC半導体装置およびSiC半導体装置の製造方法

発明者： 岩黒 弘明 ,  前山 雄介 ,  西川 恒一 ,  清水 正章 ,  福田 祐介
出願人/特許権者： 新電元工業株式会社
代理人 (7件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-258179
公開番号（公開出願番号）：特開2006-073923
出願日： 2004年09月06日
公開日（公表日）： 2006年03月16日
要約：

【課題】 SiC基板に対して、低抵抗で良好なオーミック電極を容易に形成できるSiC半導体装置およびSiC半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 n型SiC基板1aの電極形成領域上に、該n型SiC基板1aの導電型と同一の導電型(n型)の不純物を有してなる不純物拡散源層2aを形成し、不純物拡散源層2a上に、Niなどの金属からなる金属層3を形成し、不純物拡散源層2a及び金属層3に対して焼鈍処理を施すことを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

SiC基板の電極形成領域上に、該SiC基板の導電型と同一の導電型の不純物を有してなる不純物拡散源層を形成し、 前記不純物拡散源層上に、金属からなる金属層を形成し、 前記不純物拡散源層及び金属層に対して焼鈍処理を施すことを特徴とするSiC半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/28 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/47

FI (4件)：

H01L21/28 301B ,  H01L21/28 B ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/48 D

Fターム (24件)：

4M104AA03 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD33 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD51 ,  4M104DD79 ,  4M104DD91 ,  4M104FF13 ,  4M104GG03 ,  4M104GG06 ,  4M104GG07 ,  4M104GG09 ,  4M104HH15

引用特許：

出願人引用 (1件)

• n型SiC用オーミック電極とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-088069   出願人：新日本製鐵株式会社

審査官引用 (4件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-366533   出願人：新日本無線株式会社
• 炭化珪素半導体のオーミック電極構造及び、炭化珪素半導体のオーミック電極製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-318728   出願人：日産自動車株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所
• 光半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-219100   出願人：株式会社東芝
• オーミック電極構造体、その製造方法、及びオーミック電極を用いた半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-265873   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所, 日産自動車株式会社