特許
J-GLOBAL ID：201203039638912303

半導体装置

発明者：
清水 和宏

清水 和宏 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (2件)： 山田 卓二 ,  田中 光雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-190571
公開番号（公開出願番号）：特開2012-019227
出願日： 2011年09月01日
公開日（公表日）： 2012年01月26日
要約：
【課題】低電位領域と高電位の配線が交差することの無い優れた耐圧性能を示す半導体装置を提供することを課題とする。【解決手段】本発明の半導体装置は、ロジック回路(501)と、ロジック回路からの制御信号に従い低電位側パワー素子を駆動する低電位側駆動回路(502)と、ロジック回路からの制御信号がレベルシフト回路を介して入力され、高電位側パワー素子(506)を駆動する高電位側駆動回路(505)と、複数に重なったトレンチ分離領域により、前記高電位側パワー素子を含む高電位島を分離する多重トレンチ分離領域(508)と、を有する。【選択図】図39
請求項（抜粋）：
ロジック回路と、 前記ロジック回路からの制御信号に従い低電位側パワー素子を駆動する低電位側駆動回路と、 前記ロジック回路からの制御信号がレベルシフト回路を介して入力され、高電位側パワー素子を駆動する高電位側駆動回路と、 複数に重なったトレンチ分離領域により、前記高電位側パワー素子を含む高電位島を分離する多重トレンチ分離領域と、 を有する半導体装置。
IPC (11件)：
H01L 27/08 ,  H01L 29/41 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/320 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/786 ,  H01L 29/06 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/823 ,  H01L 29/861
FI (10件)：
H01L27/08 331A ,  H01L27/08 331E ,  H01L29/44 Y ,  H01L21/88 S ,  H01L27/04 H ,  H01L29/78 613Z ,  H01L29/78 621 ,  H01L29/06 301F ,  H01L27/06 102A ,  H01L29/91 D
Fターム (80件)：
4M104AA01 ,  4M104AA09 ,  4M104FF10 ,  4M104GG09 ,  4M104GG14 ,  4M104GG18 ,  4M104HH20 ,  5F033HH08 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033KK04 ,  5F033UU04 ,  5F033VV00 ,  5F033VV05 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F033XX00 ,  5F033XX03 ,  5F033XX34 ,  5F038AC05 ,  5F038AC06 ,  5F038AC10 ,  5F038AR09 ,  5F038BH19 ,  5F038CA03 ,  5F038CA05 ,  5F038CD02 ,  5F038CD05 ,  5F038DF14 ,  5F038DT12 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA04 ,  5F048AA05 ,  5F048AB03 ,  5F048AB04 ,  5F048AB10 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048AC06 ,  5F048AC10 ,  5F048BA16 ,  5F048BB01 ,  5F048BB02 ,  5F048BB05 ,  5F048BB20 ,  5F048BC03 ,  5F048BE09 ,  5F048BF02 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048BF18 ,  5F048BG12 ,  5F048BG13 ,  5F048BH04 ,  5F110AA11 ,  5F110AA16 ,  5F110AA26 ,  5F110BB03 ,  5F110BB04 ,  5F110BB12 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE09 ,  5F110EE38 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG23 ,  5F110GG44 ,  5F110HL03 ,  5F110HL06 ,  5F110HL23 ,  5F110HM04 ,  5F110HM12 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110NN66 ,  5F110NN71
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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