特許
J-GLOBAL ID：201203040182889531

SiC半導体デバイス及びその製造方法

発明者：
今井 文一

今井 文一 について


出願人/特許権者：
独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-120124
公開番号（公開出願番号）：特開2012-248729
出願日： 2011年05月30日
公開日（公表日）： 2012年12月13日
要約：
【課題】SiC半導体デバイスにおいて、裏面電極の剥離を十分に抑制することができる製造方法と、裏面電極の剥離が防止された新規な裏面電極構造を有するSiC半導体デバイスを提供する。【解決手段】SiC半導体上へチタン及びニッケルを含む層を形成して、加熱によりチタンカーバイドを含むニッケルシリサイド層を形成させ、析出した炭素層を逆スパッタにより除去することにより、後工程でニッケルシリサイド上に形成される金属層の電極が剥離することを抑制する。炭素層を除去する前のニッケルシリサイド表面の、析出した炭素の量とチタンカーバイドの炭素量の関係が、所定の条件のときに、さらに剥離防止の効果を向上させることができる。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
SiC半導体に電極構造を形成する半導体デバイスの製造方法であって、 前記SiC半導体に、 ニッケル及びチタンを含む層を形成した後、 加熱によりチタンカーバイドを有するニッケルシリサイド層を生成し、 ニッケルシリサイド層表面に生成した炭素層を逆スパッタにより取り除き、 前記チタンカーバイドを有するニッケルシリサイド層上に、チタン層、ニッケル層、金層の順で積層することにより金属層を形成することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
IPC (1件)：
H01L 21/28
FI (3件)：
H01L21/28 301B ,  H01L21/28 A ,  H01L21/28 301S
Fターム (16件)：
4M104AA03 ,  4M104BB05 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB21 ,  4M104CC01 ,  4M104DD16 ,  4M104DD22 ,  4M104DD78 ,  4M104DD83 ,  4M104DD84 ,  4M104FF02 ,  4M104FF13 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104HH08
引用特許：
審査官引用 (4件)
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