半導体装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-164265
公開番号（公開出願番号）：特開2012-238880
出願日： 2012年07月25日
公開日（公表日）： 2012年12月06日
要約：

【課題】量産性の高い新たな半導体材料を用いた大電力向けの半導体装置を提供することを目的の一とする。【解決手段】酸化物半導体膜中の水分または水素などの不純物を低減するために、酸化物半導体膜を形成した後、酸化物半導体膜が露出した状態で第1の加熱処理を行う。次いで、酸化物半導体膜中の水分、または水素などの不純物をさらに低減するために、イオン注入法またはイオンドーピング法などを用いて、酸化物半導体膜に酸素を添加した後、再び、酸化物半導体膜が露出した状態で第2の加熱処理を行う。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

酸化物半導体膜に500°C以上850°C以下の第1の加熱処理を施し、前記第1の加熱処理が施された酸化物半導体膜に酸素を添加し、前記酸素が添加された前記酸化物半導体膜に500°C以上850°C以下の第2の加熱処理を施す半導体装置の作製方法。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , G09F 9/30

FI (4件)：

H01L29/78 618C , H01L29/78 618B , H01L29/78 618E , G09F9/30 338

Fターム (97件)：

5C094AA22 , 5C094AA31 , 5C094AA43 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094BA43 , 5C094DA13 , 5C094DA15 , 5C094EA10 , 5C094FB14 , 5C094FB20 , 5C094HA08 , 5F110AA14 , 5F110BB01 , 5F110BB02 , 5F110BB12 , 5F110BB20 , 5F110CC07 , 5F110CC09 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE23 , 5F110EE24 , 5F110EE27 , 5F110EE30 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110FF35 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG16 , 5F110GG17 , 5F110GG19 , 5F110GG22 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG35 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HK41 , 5F110HK42 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN12 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN40 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110PP02 , 5F110PP10 , 5F110PP13 , 5F110PP22 , 5F110PP29 , 5F110QQ02 , 5F110QQ09

引用特許：

審査官引用 (3件)

膜形成方法、半導体膜、及び積層絶縁膜
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-179227 出願人：カシオ計算機株式会社, 財団法人高知県産業振興センター
半導体装置及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-200670 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-320678 出願人：富士フイルム株式会社

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