特許
J-GLOBAL ID：201203041521716079
不揮発性抵抗変化素子および不揮発性抵抗変化素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-029540
公開番号（公開出願番号）：特開2012-169469
出願日： 2011年02月15日
公開日（公表日）： 2012年09月06日
要約：
【課題】抵抗変化層の抵抗を変化させるのに必要な電圧を低減することが可能な不揮発性抵抗変化素子および不揮発性抵抗変化素子の製造方法を提供する。【解決手段】第1電極1上に抵抗変化層2が積層され、抵抗変化層2上にはイオン活性化層3を介して第2電極4が積層され、抵抗変化層2は半導体元素を有し、イオン活性化層3は半導体元素を有し、イオン活性化層3の半導体元素が未終端である比率が抵抗変化層2の半導体元素に比べて高い。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1電極と、
金属元素を有する第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間に配置され、半導体元素を有する第一層と、
前記第2電極と前記第一層との間に挿入され、前記半導体元素を有し、前記第一層よりも前記半導体元素が未終端である比率が高い第二層とを備えることを特徴とする不揮発性抵抗変化素子。
IPC (3件)：
H01L 27/105
, H01L 45/00
, H01L 49/00
H01L27/10 448
, H01L45/00 Z
, H01L49/00 Z
5F083FZ10
, 5F083GA01
, 5F083GA11
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA60
, 5F083MA06
, 5F083MA16
, 5F083MA19
, 5F083PR36
