スイッチング素子、スイッチング素子の動作方法、スイッチング素子の製造方法、書き換え可能な論理集積回路およびメモリ素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：辻丸光一郎 , 中山ゆみ , 吉田玲子 , 伊佐治創
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-089632
公開番号（公開出願番号）：特開2010-245132
出願日： 2009年04月01日
公開日（公表日）： 2010年10月28日
要約：

【課題】電気化学反応を利用したスイッチング素子におけるオン状態からオフ状態に切り替わる際のオフ電流の発生を低減可能なスイッチング素子を提供する。【解決手段】本発明のスイッチング素子10は、第1電極11と、電気化学反応に用いられるイオンを伝導する第1イオン伝導層12および第2イオン伝導層14と、前記イオンを供給する第2電極13とを有し、前記第1電極11は、前記第1イオン伝導層12の一方の面に設けられ、前記第2イオン伝導層14は、前記第1イオン伝導層12の他方の面に、前記第1イオン伝導層12上を移動可能に設けられ、前記第2電極13は、前記第2イオン伝導層14の前記第1イオン伝導層12とは反対側の面に設けられていることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1電極と、電気化学反応に用いられるイオンを伝導する第1イオン伝導層および第2イオン伝導層と、前記イオンを供給する第2電極とを有し、前記第1電極は、前記第1イオン伝導層の一方の面に設けられ、前記第2イオン伝導層は、前記第1イオン伝導層の他方の面に、前記第1イオン伝導層上を移動可能に設けられ、前記第2電極は、少なくとも前記第2イオン伝導層の前記第1イオン伝導層とは反対側の面に設けられていることを特徴とするスイッチング素子。

IPC (3件)：

H01L 49/00 , H01L 27/10 , H01L 45/00

FI (3件)：

H01L49/00 Z , H01L27/10 451 , H01L45/00 Z

Fターム (5件)：

5F083FZ10 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (4件)

記憶素子および記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-206328 出願人：ソニー株式会社
情報記録再生装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-155709 出願人：株式会社東芝
電気機械メモリ、それを用いた電気回路及び電気機械メモリの駆動方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-154590 出願人：松下電器産業株式会社

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