特許

J-GLOBAL ID：201203042770219081

DC-DCコンバータ及びその作製方法

発明者： 高橋 圭 ,  伊藤 良明
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-258830
公開番号（公開出願番号）：特開2012-135191
出願日： 2011年11月28日
公開日（公表日）： 2012年07月12日
要約：

【課題】単一な高電圧の入力電圧で駆動し、電圧変換回路及び制御回路を有するDC-DCコンバータを得ること、及び、DC-DCコンバータの占有面積の増大を抑制する。【解決手段】入力電圧が印加される入力端子と、入力端子と接続され第1のトランジスタを有する電圧変換回路と、電圧変換回路を制御し珪素材料をチャネル形成領域に有する第2のトランジスタを有する制御回路と、入力端子と制御回路との間に設けられ入力電圧を入力電圧より低い電圧である電源電圧に変換する第3のトランジスタとを有し、第1のトランジスタ及び第3のトランジスタは酸化物半導体材料をチャネル形成領域に有するトランジスタであり、第2のトランジスタ、並びに、第1のトランジスタ及び第3のトランジスタは、絶縁膜を介して積層されているDC-DCコンバータ及びその作製に関する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

入力電圧が印加される入力端子と、 前記入力端子と接続され、第1のトランジスタを有する電圧変換回路と、 前記電圧変換回路を制御し、珪素材料をチャネル形成領域に有する第2のトランジスタを有する制御回路と、 前記入力端子と前記制御回路との間に設けられ、前記入力電圧を前記入力電圧より低い電圧である電源電圧に変換する第3のトランジスタと、 を有し、 前記第1のトランジスタ及び前記第3のトランジスタは、酸化物半導体材料をチャネル形成領域に有するトランジスタであり、 前記第2のトランジスタ、並びに、前記第1のトランジスタ及び前記第3のトランジスタは、絶縁膜を介して積層されていることを特徴とするDC-DCコンバータ。

IPC (4件)：

H02M 3/00 ,  G05F 1/56 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04

FI (4件)：

H02M3/00 Z ,  G05F1/56 310P ,  H01L27/04 G ,  H01L27/04 H

Fターム (30件)：

5F038BG01 ,  5F038BG06 ,  5F038BH07 ,  5F038BH15 ,  5F038CD16 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20 ,  5H430BB01 ,  5H430BB05 ,  5H430BB11 ,  5H430EE04 ,  5H430FF02 ,  5H430GG08 ,  5H430HH03 ,  5H730AA15 ,  5H730AS01 ,  5H730BB13 ,  5H730BB23 ,  5H730BB43 ,  5H730DD03 ,  5H730DD04 ,  5H730EE02 ,  5H730EE07 ,  5H730EE08 ,  5H730EE10 ,  5H730ZZ15

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 降圧型スイッチングレギュレータ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-304055   出願人：株式会社リコー
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-048672   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-237541   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

審査官引用 (3件)

• 降圧型スイッチングレギュレータ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-304055   出願人：株式会社リコー
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-048672   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-237541   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所