特許
J-GLOBAL ID：201203043389353851
多孔質シリコン複合体粒子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 誠一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-195751
公開番号（公開出願番号）：特開2012-082126
出願日： 2011年09月08日
公開日（公表日）： 2012年04月26日
要約：
【課題】<1>高容量と良好なサイクル特性を実現する、<2>多孔質体内部でシリコン化合物による導電パスの確保としたリチウムイオン電池用の負極材料に好適な多孔質シリコン複合体粒子を得る。【解決手段】シリコン微粒子3とシリコン化合物粒子5が接合してなる多孔質シリコン複合体粒子1であって、前記シリコン化合物粒子は、シリコンと、As、Ba、Ca、Ce、Co、Cr、Cu、Er、Fe、Gd、Hf、Lu、Mg、Mn、Mo、Nb、Nd、Ni、Os、Pr、Pt、Pu、Re、Rh、Ru、Sc、Sm、Sr、Ta、Te、Th、Ti、Tm、U、V、W、Y、Yb、Zrからなる群より選ばれた一つ以上の複合体元素との化合物を含み、前記多孔質シリコン複合体粒子の平均粒径が、0.1μm〜1000μmであり、多孔質シリコン複合体粒子が、連続した空隙からなる三次元網目構造を有することを特徴とする多孔質シリコン複合体粒子である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
シリコン微粒子とシリコン化合物粒子が接合してなる多孔質シリコン複合体粒子であって、
前記シリコン化合物粒子は、シリコンと、As、Ba、Ca、Ce、Co、Cr、Cu、Er、Fe、Gd、Hf、Lu、Mg、Mn、Mo、Nb、Nd、Ni、Os、Pr、Pt、Pu、Re、Rh、Ru、Sc、Sm、Sr、Ta、Te、Th、Ti、Tm、U、V、W、Y、Yb、Zrからなる群より選ばれた一つ以上の複合体元素との化合物を含み、
前記多孔質シリコン複合体粒子の平均粒径が、0.1μm〜1000μmであり、
多孔質シリコン複合体粒子が、連続した空隙からなる三次元網目構造を有する
ことを特徴とする多孔質シリコン複合体粒子。
IPC (4件)：
C01B 33/02
, H01M 4/36
, H01M 4/38
, C01B 33/06
C01B33/02 Z
, H01M4/36 A
, H01M4/38 Z
, C01B33/06
4G072AA01
, 4G072AA20
, 4G072AA21
, 4G072BB05
, 4G072BB11
, 4G072BB15
, 4G072DD04
, 4G072GG02
, 4G072GG03
, 4G072GG04
, 4G072GG05
, 4G072HH01
, 4G072JJ08
, 4G072JJ09
, 4G072MM02
, 4G072MM24
, 4G072MM38
, 4G072RR13
, 4G072TT01
, 4G072TT02
, 4G072TT09
, 4G072TT30
, 4G072UU30
, 5H050AA07
, 5H050AA12
, 5H050BA16
, 5H050CB11
, 5H050FA09
, 5H050GA02
, 5H050GA06
, 5H050GA17
, 5H050HA01
, 5H050HA04
, 5H050HA05
, 5H050HA09
