特許
J-GLOBAL ID:201203044316448559

多接合太陽電池およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 山川 政樹 ,  山川 茂樹 ,  小池 勇三
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-047418
公開番号(公開出願番号):特開2012-186265
出願日: 2011年03月04日
公開日(公表日): 2012年09月27日
要約:
【課題】バンドギャップエネルギーの組み合わせを柔軟にすることで太陽光エネルギーを効率的に利用できる多接合型太陽電池を、高品質なシリコン太陽電池を用いることでより安価に形成できるようにする。【解決手段】シリコンから構成された第1太陽電池セル101と、シリコンよりもバンドギャップエネルギーの小さい第1材料から構成されて第1太陽電池セル101の一方の面に積層された第2太陽電池セル102と、シリコンよりもバンドギャップエネルギーの大きい第2材料から構成されて第1太陽電池セル101の他方の面に積層された第3太陽電池セル103とを備える。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
シリコンから構成された第1太陽電池セルと、 シリコンよりもバンドギャップエネルギーの小さい第1材料から構成されて前記第1太陽電池セルの一方の面に積層された第2太陽電池セルと、 シリコンよりもバンドギャップエネルギーの大きい第2材料から構成されて前記第1太陽電池セルの他方の面に積層された第3太陽電池セルと を少なくとも備えることを特徴とする多接合太陽電池。
IPC (1件):
H01L 31/04
FI (2件):
H01L31/04 L ,  H01L31/04 E
Fターム (8件):
5F151AA02 ,  5F151CB08 ,  5F151CB20 ,  5F151DA03 ,  5F151DA04 ,  5F151DA18 ,  5F151GA04 ,  5F151GA20
引用特許:
審査官引用 (3件)

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