特許
J-GLOBAL ID:201203044486846540

リソグラフィ装置のためのレベルセンサの構成及びデバイス製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 森下 賢樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-160478
公開番号(公開出願番号):特開2012-199594
出願日: 2012年07月19日
公開日(公表日): 2012年10月18日
要約:
【課題】改良されたレベルセンサを提供する。【解決手段】レベルセンサはリソグラフィ装置において基板表面高さを測定する。レベルセンサには、検出用の放射を基板に発する光源と、基板から反射された放射を測定するための検出器ユニットと、が設けられている。光源は、リソグラフィ装置において基板を処理するために使用されるレジストが反応する波長域の検出用放射を発する。【選択図】図4
請求項(抜粋):
リソグラフィ装置における基板の感光層表面の位置を測定するためのレベルセンサであって、 基板からの反射された放射を動作中に測定するための放射検出器を備え、 前記放射検出器は、基板を処理するために使用される感光層に反応する波長範囲の放射を測定し、 前記放射検出器は、三角形格子形状をもつ刻線格子を備え、該刻線格子は、光源の発する放射の波長よりも大きいピッチを有することを特徴とするレベルセンサ。
IPC (3件):
H01L 21/027 ,  G03F 7/20 ,  G01B 11/00
FI (3件):
H01L21/30 526B ,  G03F7/20 521 ,  G01B11/00 B
Fターム (19件):
2F065AA06 ,  2F065BB03 ,  2F065CC19 ,  2F065FF09 ,  2F065FF43 ,  2F065GG03 ,  2F065GG21 ,  2F065HH03 ,  2F065HH12 ,  2F065JJ01 ,  2F065JJ08 ,  2F065LL12 ,  2F065LL30 ,  2F065LL42 ,  2F065NN02 ,  5F146CC01 ,  5F146DA14 ,  5F146DB05 ,  5F146DC12
引用特許:
出願人引用 (5件)
  • 特開昭62-223613
  • 特開平4-342111
  • 結像装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-050066   出願人:エヌ・ベー・フィリップス・フルーイランペンファブリケン, アーエスエムリソグラフィーベスローデンフェンノートシャップ
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審査官引用 (5件)
  • 結像装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-050066   出願人:エヌ・ベー・フィリップス・フルーイランペンファブリケン, アーエスエムリソグラフィーベスローデンフェンノートシャップ
  • 回折型光学素子の製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平8-224936   出願人:日本板硝子株式会社
  • 特開昭62-223613
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